검찰, 中 기업에 ‘D램 공정 핵심 기술’ 유출… 전직 삼전 직원 구속기소

청신메모리반도체로 이직 뒤 삼성전자 ‘국가핵심기술’ 활용
삼성전자 매출 추정 감소액만 5조원… 檢 "수십조 피해 예상"

중국 기업으로 이직한 뒤 국가 핵심 기술을 부정하게 사용해 제품을 개발한 혐의를 받는 전직 삼성전자 직원들이 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 1일 산업기술보호법 위반, 부정경쟁방지법 위반 혐의를 받는 전직 삼성전자 임원과 연구원 등 3명을 구속기소했다.

검찰에 따르면 이들은 중국 청신메모리반도체(CXMT)로 이직한 뒤 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가핵심기술을 부정 사용해 D램을 개발한 혐의를 받는다. CXMT는 중국 지방 정부가 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체 회사다. 해당 국가핵심기술은 삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최고로 개발한 10나노대 D램의 최신 공정 기술이다. D램을 제조하는 수백 단계의 공정 정보가 그대로 기재된 핵심 정보라는 게 검찰의 설명이다.

검찰은 삼성전자의 국가핵심기술 유출 정황을 발견하고 직접수사에 착수해 지난해 1월 삼성전자 부장 출신 CXMT 1기 개발 실장을, 지난 5월 삼성전자 연구원 출신 CXMT 직원을 국가 핵심 기술 부정 취득 혐의로 각각 구속기소했다.

검찰 조사 결과 CXMT는 설립 직후 삼성전자 출신인 이들 2명을 영입해 국가 핵심 기술 확보 및 핵심 인력 영입에 기반한 D램 개발 계획을 수립했다. CXMT 1기 개발 실장 등은 삼성전자 퇴직자를 통해 D램 공정 국가 핵심 기술 유출 자료를 부정 취득한 것으로 파악됐다.

검찰은 이날 기소한 3명이 이 같은 유출 자료를 전달받고, 삼성전자의 실제 제품을 분해해 유출 자료를 검증하고 제조 테스트를 진행하는 등의 방식으로 D램을 개발한 것으로 봤다. CXMT는 지난 2023년 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램 양산에 성공했다. 이들은 CXMT로부터 각각 4~6년간 15억원~30억원의 급여를 지급받은 것으로 드러났다.

이 사건으로 인한 삼성전자의 손해는 지난해 추정 매출 감소액만 5조원이며, 향후 최소 수십조원의 피해가 예상되는 등 유사 이래 최대의 기술 유출 사건으로 알려졌다.

허경준 기자 kjune@asiae.co.kr