삼성 "2∼3년내 반도체 세계 1위 되찾을 것"

12단 HBM 선행 통해 시장 주도권 확보
반도체연구소 양적·질적 2배 키울 것
올해 매출 2022년 수준 회복 전망

"앞으로 2년 늦어도 3년 이내에 세계 반도체 1등을 다시 찾도록 하겠습니다."

경계현 삼성전자 DS(반도체)부문 사장은 20일 열린 제55기 정기 주주총회에서 "메모리는 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 D램을 활용한 128GB(기가바이트) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 HBM(고대역폭메모리) 선행을 통해 HBM3·HBM3E 시장의 주도권을 찾을 계획"이라며 이같이 밝혔다.

경 사장은 올해 글로벌 반도체 시장이 전년 대비 크게 성장한 6300억달러(약 843조원)를 기록할 것으로 예상했다. DS부문의 매출도 2022년 수준으로 회복할 것으로 전망했다.

삼성전자는 D램, 낸드플래시에 선단 공정 비중을 늘릴 방침이다. 경 사장은 "D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침"이라고 말했다.

경계현 삼성전자 DS(반도체) 부문장 사장.[사진출처=연합뉴스]

경 사장은 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에 대해 "업계 최초 GAA(게이트 올 어라운드) 3nm(1나노미터·10억분의 1m) 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 내년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획"이라고 했다. 2나노 공정은 내년에 삼성전자, TSMC, 인텔 모두 실현하겠다고 선언한 선단 공정이다. 그는 "오토모티브, RF(Radio Frequency) 등 특수공정의 완성도를 향상하고 4·5·8·14나노 공정의 성숙도를 높여 고객 포트폴리오를 확대할 방침"이라고 했다.

연구개발(R&D) 강화 방침을 이어가겠다고 했다. 2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입할 계획이다. 경 사장은 "반도체연구소를 양적·질적 측면에서 두 배로 키울 계획"이라며 "연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단 기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 할 계획"이라고 했다.

경 사장은 "2024년은 삼성이 반도체 사업을 시작한지 50년이 되는 해로, 본격 회복을 알리는 '재도약'과 DS의 '미래 반세기를 개막하는 성장의 한해'가 될 것"이라며 "2∼3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾을 계획"이라고 했다.

한종희 DX(디바이스 경험) 부문장 겸 대표이사 부회장은 올해 DX부문이 AI를 바탕으로 '개인화된 디바이스 지능화'를 추진할 방침이라고 강조했다. 한 부회장은 "삼성전자는 스마트폰, 폴더블, 액세서리, XR 등 모든 디바이스에 AI를 본격적으로 적용해 고객에게 생성형 AI와 온디바이스 AI가 펼쳐갈 새로운 경험을 제공할 방침"이라고 했다.

한 부회장은 "삼성전자는 전사적 AI 역량을 고도화해 차세대 전장(자동차 전기·전자 장비), 로봇, 디지털 헬스 등 신사업 육성을 적극 추진할 계획"이라고 했다.

또 한 부회장은 ▲사물인터넷(IoT)을 통한 기기 제어 ▲기기 안의 AI로 최대 20% 에너지 절약 ▲'녹스 매트릭스'를 통한 강력한 기기 보안 등을 실현해나갈 것이라고 했다.

문채석 기자 chaeso@asiae.co.kr