中 연구진, 반도체 노광장비 기술 개발…美 제재 속 국산화 추진

입자 가속기로 새 광원 만드는 프로젝트 성과

중국 연구진이 첨단 반도체용 노광 장비에 쓰일 수 있는 기술을 개발했다는 외신 보도가 나왔다. 중국이 이같은 연구를 토대로 현지서 노광 장비 공장을 세워 미 규제에 대응할 수 있다는 주장도 함께다.

25일 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 중국 칭화대 연구진은 입자 가속기를 활용해 새로운 광원을 만들어내는 SSMB(Steady-State MicroBunching) 프로젝트를 진행, 성과를 거뒀다. 중국은 해당 기술을 기반으로 슝안신구에 대규모 반도체 노광 장비 공장 설립을 추진하는 것으로 알려졌다.

SCMP는 칭화대 연구진이 입자 가속기를 활용해 기존 EUV 노광 장비보다 저비용으로 몇 배 높은 출력을 보이는 새로운 광원을 만들어냈다고 설명했다. 슝안지구에 들어설 노광 장비 공장에서 입자 가속기 전자빔이 고품질 광원으로 전환돼 현장에서 반도체 제조 및 과학 연구에 활용될 것이라는 전망도 했다.

[사진제공=로이터연합뉴스]

중국이 이같은 행보에 나서는 배경에는 미국 규제가 있다. 미국은 자국 반도체 장비사가 중국에 첨단 반도체 장비를 수출할 수 없도록 통제하고 있다. 동맹국인 일본, 네덜란드도 규제에 동참한 상태다. 네덜란드는 이 과정에서 자국 반도체 장비 업체인 ASML의 극자외선(EUV) 노광 장비 수출을 금지했다.

EUV 노광 장비는 7나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 이하 첨단 반도체 생산에 쓰이는 필수 장비다. 반도체 원판인 웨이퍼 위에 회로 패턴을 그릴 때 쓰인다. ASML이 EUV 노광 장비를 생산하는 유일한 곳인 상황에서 공급이 막히자 중국이 자체 개발에 나선 것으로 보인다.

외신은 중국의 노광 장비 자체 개발이 저비용 기반의 반도체 양산을 촉진하면서 2㎚ 이하 초미세 반도체 생산에서 중국이 선도적인 역할을 할 수 있도록 이끌 가능성이 있다고 봤다.

SSMB 프로젝트를 이끈 탕촨샹 칭화대 교수는 칭화대 홈페이지에 있는 보고서에서 "우리 연구의 잠재적 응용 분야 중 하나는 미래 EUV 노광 장비를 위한 광원"이라며 "국제 사회가 (우리 연구를) 면밀하게 주시하는 것은 바로 그 때문"이라고 말했다.

또 "독자적인 EUV 노광 장비 개발까지는 갈 길이 멀다"면서도 "SSMB 기반 EUV 광원은 우리에게 제재 기술에 대한 대안이 될 수 있다"고 전망했다.

김평화 기자 peace@asiae.co.kr