SK海力士：“内存间数据传输”成新瓶颈，将以3D堆叠DRAM和HBF解决
开发总负责人社长 Ahn Hyun，在SEDEX 2026发表主题演讲
"到2030年，人工智能基础设施将增长20倍，
亟需超越高带宽内存（HBM）的下一代内存层级"
"将携手全球合作伙伴主导标准化"
随着人工智能（AI）推理需求扩大，SK海力士判断，内存层级之间的数据移动过程中正出现新的瓶颈，并提出“3D堆叠动态随机存取存储器（DRAM）”和“高带宽闪存（HBF）”作为解决这一问题的关键下一代技术。
SK海力士开发总负责人社长Ahn Hyun在14日于首尔COEX举行的第28届半导体展（SEDEX 2026）主题演讲中，以“人工智能时代，存储技术的演进方向”为题发表演讲。记者 Kwon Hyunji
View original imageSK海力士开发总负责人社长Ahn Hyun于14日在首尔COEX举行的“第28届半导体展（SEDEX 2026）”主题演讲中，以“人工智能时代，存储技术的演进方向”为题发表演讲，并作出上述表示。
Ahn社长判断，人工智能市场的增长并未停滞，反而正在以更快的速度加速。特别是随着智能体人工智能（Agentic AI）出现，与人类生成的词元相比，智能体所需的词元数量激增至15倍至100倍以上。他预计，到2030年，人工智能基础设施规模将接近今年的20倍。
在这一过程中，最大的瓶颈是“内存层级之间的数据移动”。Ahn社长表示：“直到前年，上下文长度（Context Length）还只有约128K，近期已增至100万词元左右，今后还将加速增长。”他还提到，近期上下文长度正朝着1亿（100M）词元的水平扩展。因此，仅靠现有的高带宽内存（HBM）和动态随机存取存储器（DRAM）容量已无法容纳全部数据，数据甚至溢出到固态硬盘（SSD），出现了“溢出（Spill-over）”现象。
Ahn社长强调：“如今，从静态随机存取存储器（SRAM）、高带宽内存（HBM）、动态随机存取存储器（DRAM）到固态硬盘（SSD）的内存层级之间，性能差距以及数据移动本身正成为新的瓶颈。要克服提升性能会导致容量缩小、扩大容量又会使性能下降的局限，就必须不断打造全新的内存层级。”
SK海力士提出了3D堆叠动态随机存取存储器（DRAM）和高带宽闪存（HBF）等新型内存层级，作为解决此类内存瓶颈的创新技术。3D堆叠动态随机存取存储器（DRAM）是将动态随机存取存储器（DRAM）垂直堆叠在图形处理器（GPU）或神经网络处理器（NPU）等逻辑芯片上，并通过硅通孔（TSV）直接连接的技术。与现有高带宽内存（HBM）相比，该技术可将输入输出（I/O）通道增加数十倍，从而提升数据传输速度并大幅降低功耗。
高带宽闪存（HBF）是SK海力士将生产高带宽内存（HBM）过程中积累的硅通孔（TSV）堆叠技术经验应用于NAND闪存而开发的超大容量内存。其带宽约为高带宽内存（HBM）的一半，但目前的开发目标是将容量提升至10倍以上。Ahn社长指出，人工智能推理任务中读取已存储数据的比例，比写入数据高出数十万倍；他强调，读取性能更佳、基于NAND闪存的高带宽闪存（HBF）将成为大规模人工智能基础设施的重要替代方案。
Ahn社长表示：“高带宽闪存（HBF）已与闪迪等全球合作伙伴，以及谷歌等大型云服务提供商合作推进标准化。我们将于明年1月制定最终规格，率先构建全球生态系统。”此外，他还介绍了基于计算快速链接（Compute Express Link，CXL）的池化内存，以及将存储速度提升4至8倍的“下一代存储（Storage-Next）”的开发进展。
另一方面，SK海力士在本届半导体展2026展区设立了规模最大的展台，展示了从人工智能基础设施到端侧人工智能应用的多种定制化内存解决方案。以“人工智能征程，永不停步”为主题、采用田径跑道造型设计的展馆内，陈列了高带宽内存（HBM）和高带宽闪存（HBF）的结构模型，以及高带宽内存（HBM）的开发历程展品。此外，展台还陈列了英伟达“Vera Rubin”超级芯片，以及刻有英伟达首席执行官黄仁勋签名的高带宽内存（HBM）晶圆，彰显双方的合作伙伴关系。
在服务器用动态随机存取存储器（DRAM）领域，公司展示了全球首款采用10纳米级第六代（1c）工艺的64GB寄存式双列直插内存模块（RDIMM）、业内容量最大的256GB三维堆叠寄存式双列直插内存模块（3DS RDIMM），以及高速128GB多路复用寄存式双列直插内存模块（MRDIMM）。在企业级固态硬盘（eSSD）领域，公司展出了支持直接液冷（DLC）技术的产品，以及公司首款基于四层单元（QLC）技术的企业级固态硬盘“PS1101”。在个人电脑和移动设备领域，公司还集中展示了面向人工智能生态系统的多款下一代解决方案，包括新一代模块CSODIMM、图形双倍数据速率存储器第七代（GDDR7）、低功耗双倍数据速率存储器第六代（LPDDR6）和通用闪存第五代（UFS 5.0）。
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