与AMD联合演示基于CXL的内存扩展技术
常务Shim Hojun：“速度、容量扩展和数据管理是关键”
通过优化内存、存储和软件拓展全球合作
三星电子将以新一代高带宽内存（HBM）、基于计算快速链路（CXL）的内存扩展技术以及企业级固态硬盘（SSD）等为重点，加强对人工智能（AI）基础设施市场的开拓。三星计划不再局限于提升单款内存产品的性能，而是通过涵盖内存、存储和软件的系统优化战略，扩大与全球AI企业的合作。
三星电子表示，已作为最高级别的钻石赞助商，参加当地时间12日在美国开幕的“OCP全球峰会2026”，并展示了新一代内存与存储技术，以及与全球合作伙伴协作取得的成果。公司以“AI系统设计与创新，携手共进”为主题，展出了HBM5、定制化HBM、基于CXL的内存扩展技术及新一代SSD等。
本次展会上，三星与AMD共同演示了基于CXL的内存扩展解决方案，并展示了Groq的语言处理单元（LPU）晶圆，以及英伟达的Groq 3 LPX系统等。
10月12日（当地时间），在美国硅谷举行的“OCP Global Summit 2026”上，三星电子DS部门存储器事业部AE团队常务董事Shim Hojun发表演讲。三星电子供图。
View original image三星电子AE团队常务Shim Hojun当天以“拓展AI时代的创新：借助可扩展内存最大化计算性能”为题发表演讲，并提出了解决AI基础设施瓶颈的内存架构战略。他表示，随着AI智能体普及，推理过程中的内存流量和键值（KV）缓存需求迅速增长，因此不仅要提高内存带宽，还要灵活扩充容量，并优化数据存储层级。
针对这一趋势，三星提出了新一代AI内存战略的三大支柱：▲提升数据处理速度 ▲扩展内存容量 ▲提高数据存储与管理效率。
在高性能内存领域，三星介绍了HBM5、定制化HBM、内存内处理（PIM）等新一代技术。在内存扩展领域，公司提出利用CXL和CMM-D灵活增加系统内存容量、提高资源利用率的方案。在存储领域，三星则公布了通过新一代SSD、四层单元（QLC）和灵活数据放置（FDP）等技术，提升大规模AI数据存储性能和管理效率的战略。
尤其是在与AMD的联合演示中，三星展示了利用基于CXL的内存扩展技术，应对AI推理过程中不断增长的内存需求的方案。通过基于CMM-D的内存池化技术，多个系统能够高效利用内存资源，并灵活获取所需容量。
展区围绕AI计算与推理所需的技术进行布置。在“分词解决方案”展区，三星展示了HBM4E、HBM5、定制化HBM概念产品以及LPDDR5X-PIM等。在基于LPDDR5X-PIM的边缘AI加速器演示中，三星介绍了在内存内部执行部分运算、减少处理器与内存之间的数据传输并提高能效的技术。
在“KV缓存解决方案”展区，三星公布了CXL内存、企业级SSD、KV缓存及存储优化技术。此外，公司还通过AI内存节点、向量数据库（VectorDB）、直接存储、液冷等多项演示，展示了提高AI系统数据处理效率的方案。
三星电子还在扩大与全球客户的联合设计。通过在真实AI环境中验证内存与存储技术的“三星MAX实验室”，公司可在商业化之前评估PIM、CMM-D和新一代SSD等技术，并根据客户需求调整系统设计。三星还以全球开放生态团队（GOST）为核心，参与开源软件开发与标准化工作，并推进KV缓存优化、直接存储等系统级技术合作。
今年，三星电子还陆续在多场全球重要AI及半导体活动上展示新一代内存与存储技术。今年3月，在英伟达GTC大会上，三星展示了搭载HBM4、SOCAMM（小型压缩附加内存模块）2和PM1763等产品的英伟达Vera Rubin平台；6月在台湾Computex展会和8月在美国FMS上，公司公布了面向AI基础设施的技术路线图，涵盖HBM4E、HBM5以及新一代三维内存架构等。
三星电子在扩大HBM产品线的同时，也在拓展系统内存、企业级SSD和NAND闪存等产品，并通过结合内存与逻辑芯片的三维（3D）架构、PIM、CXL和先进封装等技术拓宽技术领域。其战略是超越单个半导体性能的提升，通过对内存、存储和软件进行整体优化，提高AI系统的性能与能效，并扩大与全球客户的合作。
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