曹看宇出席上海活动
"通过垂直晶体管提升集成度与能效"
宣布计划推出采用新技术的服务器用DRAM产品
中国存储芯片企业长鑫存储科技（CXMT）称，其在被视为下一代DRAM核心技术的“4F²”单元结构研发方面取得进展，并预告将于年内推出应用该技术的新产品。
据香港《南华早报》（South China Morning Post）12日报道，CXMT首席执行官曹看宇上周末在中国上海举行的一场产业活动上表示，下一代技术4F²结构的研发取得了关键进展。他还表示，公司计划在年底前推出采用该技术的服务器用DDR5内存产品。
4F²指的是DRAM单个存储单元所占的面积。与目前商用DRAM主要采用的6F²结构相比，该结构可将单元面积缩小约33%，从而在相同面积内存储更多数据。实际集成度的提升幅度会因产品设计和制造工艺等因素而异。
这项技术的核心是CXMT自主研发的垂直环绕栅极（VSG）晶体管。该技术将传统水平结构的晶体管沟道改为垂直结构，以减少漏电流、提高集成度。CXMT表示，为此还重新设计了传统半导体制造工艺中的关键步骤。
不过，CXMT尚未公布具体产品规格或上市日期。采用该技术的服务器用DRAM实际性能及量产水平也仍有待确认。
韩国存储器行业也在加快类似技术的研发。SK海力士于2025年6月在日本京都举行的国际半导体学会“2025年超大规模集成电路研讨会”上，公布了采用4F²结构的下一代DRAM技术路线图。该技术将传统水平晶体管改为垂直结构，以提高存储器集成度；今年6月，公司还公布了相关DRAM电气特性的研究成果。
《南华早报》报道称，CXMT自今年7月在被称为“中国版纳斯达克”的科创板（上海证券交易所科技创新板）上市后，持续采取行动展示技术实力。该公司此前表示，已开始量产第五代DRAM制造平台“G5”。此外，CXMT还称，自2016年成立以来，已获得300多项与4F²技术相关的专利。
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