明年业绩将再创新高……三星电子创下“100万亿”历史级业绩，市场期待史上最大股东回报
第六代HBM4全面量产，“IDM协同效应”初见成效
摆脱“业绩见顶回落”担忧，明年业绩展望向好
业绩大幅增长，提升增强股东价值的财务实力
三星电子今年第三季度创下“单季营业利润突破100万亿韩元”的纪录，其背后是人工智能半导体带动的前所未有的存储器超级周期（行业景气高峰）。分析认为，除了通用存储器价格上涨外，全球首款进入量产的第六代高带宽存储器（HBM4）也是业绩大增的关键因素。市场预计，在人工智能存储器需求强劲的推动下，这种“存储器独占鳌头”的局面将延续至明年。
三星电子8日发布第三季度初步业绩公告称，公司营业利润同比激增782.5%，达到107.4万亿韩元（合并口径）。公司仅用一个季度便打破了第二季度创下的历史最高营业利润纪录——89.5万亿韩元，并成为韩国首家单季营业利润突破100万亿韩元的企业。
HBM4与晶圆代工协同效应显现
全球存储器半导体供应短缺和产品价格大幅上涨，为三星电子此次业绩增长奠定了基础。据市场调查机构DRAMeXchange统计，上个月，个人电脑用动态随机存取存储器（DRAM）均价达到26美元，创历史新高。存储卡和通用串行总线（USB）设备用NAND闪存均价也升至30.6美元，连续21个月上涨。人工智能服务器投资扩大，带动存储器需求快速增长，而供应未能跟上，价格上涨趋势由此日渐稳固。TrendForce预测，第四季度通用DRAM价格将环比上涨10%至15%，NAND闪存价格将再涨15%至20%。
分析认为，新一代HBM——HBM4也为业绩增长作出了贡献。随着HBM4正式进入大规模量产，涵盖DRAM和晶圆代工的综合半导体（IDM）竞争力开始转化为业绩。HBM4被认为是一款不仅需要先进DRAM制程，还同时要求具备基础裸片设计和晶圆代工工艺能力的产品。有评价指出，三星电子自行生产1c DRAM和4纳米基础裸片，提升了产品性能和能效，此前积累的综合半导体技术实力由此开始在HBM领域充分显现。
Kiwoom证券研究员Park Yuak评价称：“HBM业务的业绩如预期般大幅增长，晶圆代工业务也受益于HBM4基础裸片量产和Exynos 2700产量扩大，盈利能力有所改善。”教保证券研究员Choi Boyoung也预测：“HBM4销量扩大、服务器用大容量存储器需求增加，将带动业绩改善；与此同时，产能向HBM倾斜将限制通用DRAM供应，价格强势有望延续。”
“2027年也不会减利”……预计HBM4市场份额将达40%
市场普遍认为，三星电子的业绩领先优势将超越今年第四季度，并延续至明年。也有人担忧，三星电子在通用存储器市场与中国长鑫存储（CXMT）、长江存储（YMTC）等后来者争夺市场份额，可能加大价格下行压力，市场或将“见顶回落”。不过，专家认为，考虑到人工智能推理应用普及带来的存储器需求，供应短缺得到缓解的时间将晚于预期。
尤其是在下一代HBM市场，三星电子的影响力预计将迅速扩大。市场预计，三星电子的HBM4售价将较今年上涨一倍以上（涨幅超过100%），明年其在HBM市场的份额也有望升至约40%。
因此，证券业界大幅上调了三星电子明年的全年营收和营业利润预测，分别达到999万亿韩元和606万亿韩元左右。分析认为，即使韩元兑美元汇率下跌带来不利影响，人工智能存储器稳健的售价和出货量增长仍将推动业绩。元大证券研究员Baek Gilhyun指出：“即使存储器价格涨幅有所放缓，供需紧张的局面仍将持续至2027年；人工智能推理市场扩张带来的大容量存储器需求，正在推迟供应限制得到缓解的时间。”SK证券研究员Han Donghee也预测：“在人工智能存储器需求强劲的背景下，供应短缺加剧，HBM售价上涨，市场所担忧的存储器价格下跌或利润下滑情形都不会出现。”
启动史上最大规模股东回报
业绩飙升至历史最高水平，市场目光也随之聚焦于扩大股东回报政策。三星电子目前正在实施一项政策，将2024至2026年三年间产生的自由现金流的50%返还给股东。业绩大幅增长带动现金创造能力增强，也扩大了公司通过提升股东价值回馈投资者的财务空间。
市场认为，三星电子有望凭借充裕的现金，不仅提高年度末分红，还可能大规模回购并注销自有股份。具体实施方式仍需董事会决定，但企业界和证券业界预计，股东回报规模将创历史新高。韩华投资证券研究员Park Junyoung表示：“业绩快速改善带动现金创造能力增强，将进一步提升公司回馈股东的空间；业绩改善与提升股东价值直接相连的良性循环已经形成。”
IBK投资证券研究员Kim Unho也评价称：“预计通过分红实现的股东回报规模将达到历史最高水平。即使与全球主要信息技术企业相比也毫不逊色；鉴于存储器企业历史上从未实施过超过100万亿韩元的股东回报，这也将成为未来股价的强劲利好因素。”
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