评审去年申请的26项产学专利
选出高速存储器接口等成果
结合大学研究成果与企业现场经验
SK海力士通过与大学开展产学合作，分享发掘出的半导体技术成果，并表彰优秀研究人员。
SK海力士表示，16日在京畿道利川园区迎宾馆举行“2026产学研研究课题优秀发明颁奖典礼”。未来技术研究院院长Cha Seonyong、副总裁Chae Huiseok（法务及专利部门负责人）、副总裁Kim Jaebeom（研发战略负责人）、副总裁Kim Yeonsu（专利负责人）等技术及专利部门主要高管和实务人员出席活动。
“产学研研究课题优秀发明颁奖典礼”旨在从大学与企业共同开展的研究中，评选技术成果显著且专利价值较高的发明并予以表彰。该活动自2013年起每年举办。今年针对2025年申请的26项产学专利进行评审，最终选出1项最优秀奖、1项优秀奖及3项鼓励奖，共5项。
最优秀奖授予了Seoul National University教授Choi Useok发明的、与下一代多电平信号传输电路设计相关的专利。该通信电路技术可在运算芯片与存储器之间快速、低能耗地传输数据，因解决高速存储器接口中产生的电源噪声问题而获得认可。
Choi教授说明称：“现有的三电平脉冲幅度调制（PAM3）方式在高速传输环境中，可能因各种噪声及运行条件变化而影响信号传递的稳定性。本次研究重点在于改进通信电路设计，以减少这些影响并实现稳定的数据传输。”
SK海力士于16日在利川园区迎宾馆举行“2026产学研课题优秀发明颁奖典礼”。未来技术研究院院长Cha Seonyong、副总裁Chae Heeseok（法务及专利部门负责人）、副总裁Kim Jaebeom（研发战略负责人）、副总裁Kim Yeonsu（专利负责人）等技术与专利部门核心高管及实务人员出席，为获奖者表示祝贺。SK海力士供图。
View original image他补充称：“本次成果最重要之处，是确认了可在高速数据传输环境中提高稳定性的电路设计潜力。今后将结合不同应用环境的要求，持续发展相关技术。”
Yonsei University教授Kim Hyeongjun凭借有关下一代存储器电极材料及器件特性的专利获得优秀奖。该技术仅通过单一工艺变量，即可控制用于下一代高集成度存储器的电极特性。该研究提出了不同工艺条件下电极物性和器件特性的定量数据，具备可应用于实际产品开发的成熟度，因而获得高度评价。
Kim教授说明称：“通过运用精密薄膜沉积工艺形成电极，并仅调整工艺条件，便确认了可将材料和器件特性调整至所需水平的可能性。本研究的核心在于，未持续引入新材料或复杂的附加工艺，而是利用既有材料和工艺体系，同时提出了可应对多种器件要求的方法。”
鼓励奖分别授予Seoul National University教授Hwang Cheolseong的“用于垂直型SOM单元材料沉积的高温原子层沉积/化学气相沉积工艺专利”、Seoul National University of Science and Technology教授Choi Byeongjun的“下一代存储器用高温原子层沉积/化学气相沉积前驱体及工艺专利”，以及Hanyang University教授Han Jaedeok的“通用闪存存储5.0及下一代移动产业处理器接口物理层高速接口电路专利”。
未来技术研究院院长Cha Seonyong表示：“期待通过产学合作发掘出的优秀专利，能够为提升韩国半导体产业的技术竞争力作出贡献。今后也将继续积极提供支持，推动富有挑战性和创新性的研究蓬勃开展。”
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