HBM产能一年多翻倍
正式加速追赶SK海力士和三星电子
HBM4 12层产品占比也将最高达50%

美国美光科技计划在今年年底前将高带宽内存(HBM)月产能提升至10万片晶圆水平。这是一项激进的扩产计划,将去年每月4万至5万片晶圆的产能在短期内扩大近一倍。随着人工智能(AI)芯片市场迅猛增长、高带宽内存持续供应短缺,美光科技意在凭借产量加快追赶三星电子和SK海力士。

三星与SK海力士双强格局会否生变……美光祭出“HBM 10万片”杀手锏[芯片谈] View original image

高带宽内存市场的竞争格局预计也将发生变化。目前,SK海力士领跑市场,三星电子紧随其后,美光科技则处于追赶位置。但若美光科技将月产能提升至10万片晶圆,并迅速提高下一代HBM4(第六代高带宽内存)的占比,以韩国企业为主导的市场或将正式开启“三强竞争”。

三星与SK海力士双强格局会否生变……美光祭出“HBM 10万片”杀手锏[芯片谈] View original image

据行业消息14日透露,美光科技计划在今年年底前将高带宽内存月产能扩大至约10万片晶圆。该公司拟在今年大幅提高去年每月4万至5万片晶圆的产能,到年底前最多新增每月6万片晶圆的高带宽内存产能。


美光科技积极扩大高带宽内存产量,源于人工智能数据中心市场的爆发式增长。美光科技已在下一代产品HBM4领域提升存在感。美光科技表示,已于今年3月开始量产出货适用于Vera Rubin的12层堆叠36GB HBM4产品,并已向客户提供16层堆叠48GB HBM4样品。


随着美光科技扩大产能并迅速增加HBM4供应量,韩国企业主导的市场格局预计也将发生变化。市场调研机构Counterpoint Research数据显示,今年第二季度,SK海力士以营收计在全球高带宽内存市场占据50%份额,继续位居第一。三星电子的市场份额则从第一季度的21%大幅升至第二季度的33%。排名第三的美光科技份额为18%,较上一季度的21%小幅下滑。


若美光科技的扩产计划按预期推进,其与竞争对手之间的产能差距可能较目前更快缩小。但在高带宽内存市场,并非仅靠增加晶圆投入量便能决定市场份额。


高带宽内存采用多个动态随机存取存储器垂直堆叠的结构,因此良率、堆叠技术、散热和能效以及产品可靠性均至关重要。此外,还须通过NVIDIA等主要客户的质量认证,才能真正提高供应量。即使 확보产能,若无法向客户稳定供货,也难以转化为市场份额增长。

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据了解,目前美光科技的高带宽内存产量中,HBM3E(第五代高带宽内存)12层堆叠产品占比较高。但自今年以来,该公司正迅速提升HBM4产量。业内预计,美光科技12层堆叠HBM4产品的占比将从今年年初占其高带宽内存总产量的20%至30%,在年底前最高升至50%。


在人工智能内存需求持续旺盛的情况下,若美光科技能够同步快速提升实际供应量,高带宽内存市场可能摆脱由韩国两大内存企业主导的竞争格局,转向正式的三强竞争格局。


尤其值得关注的是,供应稳定性正成为人工智能芯片市场的重要变量。对于人工智能加速器企业而言,若对特定内存厂商的依赖度过高,供应受阻风险可能上升。


因此,若主要客户开始推动高带宽内存供应商多元化,美光科技的扩产或将成为其扩大市场份额的重要基础。事实上,NVIDIA等大型科技企业正因担忧内存瓶颈而推进高带宽内存供应商多元化。


美光科技每月10万片晶圆的目标,相当于较去年将产能提高至两倍左右,但尚不足以一举追上三星电子和SK海力士。业内估计,三星电子和SK海力士的高带宽内存月产能分别约为15万至20万片晶圆。即使美光科技扩大至每月10万片晶圆,与两家企业的产能仍存在差距。



一名半导体行业人士表示:“高带宽内存并非仅扩大产能便能立即转化为营收的市场,关键在于能否以稳定的良率和质量,持续供应客户所需的产品。若在扩大产能的同时,HBM4供应也实现稳定,SK海力士和三星电子主导的市场或将迎来美光科技加入,三强竞争有望正式展开。”


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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