上市以来收益率达950.35%
海外股票型ETF收益率领跑
韩华资产管理10日表示，“PLUS全球HBM半导体”交易型开放式指数基金（ETF）近1个月收益率达11.67%。
据韩华资产管理介绍，该ETF年初至今收益率为140.30%，近1年收益率为388.07%，中长期表现同样优异。在所有海外股票型ETF中，其6个月、1年、年初至今、2年及3年累计业绩均位居第一。
PLUS全球HBM半导体ETF将引领全球存储芯片市场的境内外代表性企业适度分散纳入同一产品。该基金在韩国投资三星电子和SK海力士，在海外投资美光和闪迪，在降低对特定国家或单一企业集中度的同时，把握全球存储产业整体的增长机遇。
现有韩国半导体ETF大多集中投资于三星电子、SK海力士，或韩国半导体材料、零部件及设备企业。美国半导体ETF也主要以英伟达、博通等人工智能（AI）计算芯片企业占比较高的产品为主。
PLUS全球HBM半导体ETF通过分散纳入境内外代表性企业，填补了这一投资空白。该基金通过三星电子和SK海力士投资韩国存储产业的竞争力，同时通过美光布局美国高带宽存储器（HBM）和动态随机存取存储器（DRAM）市场的增长机遇。此外，基金还纳入闪迪，将投资范围扩展至NAND闪存和数据存储设备。
随着生成式AI和云服务不断扩张，不仅快速处理数据的能力愈发重要，稳定存储海量数据的能力也同样关键。PLUS全球HBM半导体ETF通过覆盖HBM、DRAM、NAND闪存及数据存储设备的投资组合，使投资者能够同时布局AI存储器及存储市场的增长。
韩华资产管理正为应对全球存储器及存储产业的投资需求，扩大相关产品阵容。“PLUS SK海力士闪迪50债券混合”ETF是一款集中投资SK海力士和闪迪、并结合债券配置的产品。投资者可根据投资标的及风险偏好，选择投资全球存储产业的方式。
韩华资产管理ETF事业本部长Geum Jeongseop表示：“我们于今年8月推出了同时纳入SK海力士和美国闪迪的PLUS SK海力士闪迪50债券混合ETF。该产品适合希望集中投资纯存储芯片企业，同时通过混合债券配置降低相较股票型产品波动性的投资者。”
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