借助工艺设计套件将开发周期缩短1年
明年第二季度扩大面向全球客户的晶圆代工服务
DB HiTek于9日表示，公司已完成基于8英寸晶圆的“1200V碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管”（SiC MOSFET）工艺可靠性验证，计划于明年实现量产，并正式进军下一代功率半导体晶圆代工业务。
碳化硅（SiC）相较于传统硅（Si），在高温和高压环境下表现出更优异的性能，是广泛应用于电动汽车、可再生能源、工业电力设备等领域的下一代功率半导体材料。1200V碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管是利用该材料制成、可承受并控制最高1200V高压的功率半导体开关器件。
目前，相关市场仍以6英寸晶圆为主流，但为提升生产效率和成本竞争力，以全球主要企业为中心的8英寸转型正在快速推进。DB HiTek为抢先应对这一市场变化，持续推进8英寸SiC工艺技术开发及晶圆代工服务体系建设。
DB HiTek已建立从设计、制造、特性评估到可靠性验证的一站式晶圆代工体系，并为降低客户初期开发负担，提供自主开发的第一代、第二代1200V SiC工艺设计套件。公司计划于今年11月进一步推出第三代工艺设计套件。客户可利用这些工艺设计套件加快原型制作，将产品开发周期缩短1年以上。
在性能方面，第二代工艺在栅极电压18V条件下，实现了比导通电阻低于或等于2.5mΩ·cm²、阈值电压不低于3V的电学特性，并已完成可靠性验证。DB HiTek计划于今年第三季度完成面向合作客户的工艺准备工作，并从明年第二季度起将晶圆代工服务扩大至所有客户。
DB HiTek相关人士表示：“此次完成1200V SiC MOSFET工艺可靠性验证，意味着公司全球首次掌握了面向8英寸SiC晶圆代工服务的核心工艺技术及量产基础。公司将稳步推进明年8英寸SiC量产准备，抢占市场先机，并持续提升在下一代功率半导体晶圆代工市场的竞争力。”
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