蔡司半导体部门CEO Frank Rommel
在彭博电视采访中指出技术差距
反对美国扩大出口管制:“将加速中国创新”

荷兰半导体设备企业ASML标志。路透社韩联社供图

荷兰半导体设备企业ASML标志。路透社韩联社供图

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荷兰半导体设备企业ASML的核心合作伙伴蔡司认为,预计中国企业至少还需15年才能自主开发出极紫外(EUV)光刻设备技术,这一判断是合理的。


据彭博社2日(当地时间)报道,德国光学企业蔡司半导体部门首席执行官Frank Rommel在接受彭博电视采访时,就中国自主研发EUV光刻设备尚需约15年的预测表示,这是“合理的假设”。不过,他补充称,中国技术发展的速度难以准确量化。


蔡司向全球唯一生产EUV光刻设备的荷兰企业ASML独家供应光学设备。EUV设备是生产英伟达人工智能(AI)加速器等尖端半导体的必需设备。蔡司表示,其零部件被用于生产全球约80%的半导体。


目前,美国为阻止中国获得先进AI半导体及制造技术,限制ASML向中国出口最尖端设备。部分高性能浸没式深紫外(DUV)光刻设备同样须取得出口许可。Rommel首席执行官就美国将出口管制扩大至旧型号DUV设备一事表示:“我不认为此类出口限制会产生积极效果,反而会加速中国的创新。”


中国近期在自主开发浸没式DUV设备方面取得进展。今年7月,亦有报道称一家位于上海的企业已开始生产相关设备。Rommel首席执行官表示:“中国已研究这项技术数十年,因此并不令人意外。”但他同时指出,“仍须观察该设备实际具备何种性能”。他接着强调:“我们依然遥遥领先。”


此前,瑞士投资银行瑞银在近期报告中预测,中国至少还需10年以上才能掌握自主EUV技术。特别是分析光源及激光相关专利活动后,瑞银认为,中国的技术水平与ASML在实现EUV设备量产约15年前所处的阶段相似。报告指出:“与ASML相比,中国在良率和吞吐量方面仍存在差距,且受到监管限制,因此中国产光刻设备在海外市场投入使用的可能性较低。”



瑞银还预计,中国将在未来2至5年内具备量产浸没式DUV光刻设备的能力。浸没式DUV设备的技术水平虽低于EUV,但仍是半导体生产不可或缺的设备。该设备利用光线在硅晶圆上刻蚀精细复杂的电路图案。


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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