瑞银集团：“中国EUV技术处于阿斯麦2004年水平……10年内难以替代”
有分析指出，中国虽大力推进半导体自主化，但在光刻设备领域仍未能跨越荷兰阿斯麦（ASML）的壁垒。尤其是最先进的极紫外线（EUV）光刻技术，目前仍停留在阿斯麦2004年的水平，未来10年内恐难获得具备实质替代能力的技术。
瑞银集团2日（当地时间）在报告中评估称：“中国目前的技术水平看上去与阿斯麦2004年时处于相似阶段。”该机构预计，未来10年内，中国难以掌握可替代阿斯麦最先进极紫外线（EUV）技术的技术能力。
阿斯麦是全球唯一生产极紫外线光刻设备的企业。这类设备是生产供应给NVIDIA等企业的先进半导体所必需的核心设备。
瑞银集团尤其通过分析光源和激光相关专利活动后评估认为，中国的技术水平与阿斯麦着手量产极紫外线设备约15年前所处的阶段相似。该机构指出：“与阿斯麦相比，中国在良率和吞吐量方面仍存在差距，且还面临监管限制，因此中国产光刻设备在海外市场投入使用的可能性较低。”
瑞银集团预计，中国将在未来2至5年内具备量产浸没式深紫外线（DUV）光刻设备的能力。浸没式深紫外线设备的技术水平虽低于极紫外线设备，却仍是半导体生产不可或缺的设备，用于借助光线在硅晶圆上刻制精细复杂的电路图案。不过，瑞银集团表示，由于难以准确掌握设备性能及中国半导体供应链的技术水平，相关预测仍存在不确定性。
中国政府以实现半导体自主化为目标，正向本国半导体产业投入巨额国家资本。然而，在美国主导的先进半导体制造设备出口限制下，技术研发正受到制约。
本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。
版权所有 © 阿视亚经济。未经许可不得转载，禁止用于AI训练及使用。
