CXMT扩产速度将成关键观察点

有观点认为,中国存储芯片企业长鑫存储科技(CXMT)未来的扩产速度,将成为影响全球动态随机存取存储器(DRAM)价格的最重要观察点。

路透社、韩联社供图

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据韩亚证券1日消息,CXMT今年第二季度已完成向第四代B1制程、约16纳米级制程的转换。预计其良率已超过90%,第五代双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR5)产品可支持5600兆赫,未来计划扩大至6400兆赫。不过,由于依赖多重图案化,其制程步骤更多,在每片晶圆的比特产量和成本等方面,仍落后于领先企业。高带宽存储器(HBM)则计划于2027年量产12层HBM3E。韩亚证券分析师Baek Seunghye预计:“若2027年能够生产约300万至400万个HBM3E堆叠产品,将足以缓解中国国内人工智能(AI)图形处理器(GPU)的核心瓶颈。”


从中长期全球存储产业角度看,相较于CXMT的技术水平,更重要的是其产能扩张速度,以及由此引发的供给过剩和影响价格底部的时间点。Baek Seunghye表示:“预计CXMT产能将从2028年的月产50万片扩大至2030年后的月产约80万片。在预计DRAM供应短缺将有所缓解的2028年前后,即使进入价格下行周期,若CXMT仍维持激进扩产态势,便可能加剧通用型DRAM价格的波动性。未来CXMT的扩产速度,将成为影响全球DRAM价格的最重要观察点。”


CXMT在近日公布的上半年业绩中表示,其自主研发的低功耗双倍数据率第六代存储器(LPDDR6)产品目前已完成样品供应及验证,正加快转入量产阶段。Baek Seunghye说明:“CXMT的LPDDR6产品最高传输速度为12.8吉比特每秒,单颗芯片最大容量为16吉字节,已接近三星电子和SK海力士今年发布的LPDDR6产品最高速度14.4吉比特每秒和10.7吉比特每秒,以及最大容量16吉字节和16吉字节的水平。未来将在高端智能手机、服务器和智能汽车市场逐步建立竞争力。”



CXMT上半年营收为1503亿元人民币,同比增长873%,较业绩指引的1100亿至1200亿元人民币上限高出25%。归属于母公司股东的净利润为776亿元人民币,较业绩指引的500亿至570亿元人民币上限高出36%,并从去年同期亏损23亿元人民币转为盈利。Baek Seunghye分析称:“随着上半年全球DRAM供应短缺持续,DDR5和LPDDR为主的DRAM产品价格上涨、销量激增,带动了业绩增长。上半年毛利率为84.8%,较去年同期的12.7%上升72.1个百分点,显著高于全球三大存储企业SK海力士、三星和美光76.1%的平均水平。除DRAM价格大涨外,CXMT扩充产能、提升良率,以及中国国内对存储产品国产化的需求等多重因素,共同推动了盈利能力大幅改善。”


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