SK海力士美国印第安纳HBM工厂奠基……2029年量产
美国首个HBM生产基地……投资40亿美元
与普渡大学开展研发合作，雇用约1000人
韩国生产的DRAM在美国进行先进封装后供应
SK海力士将在美国印第安纳州建设高带宽内存（HBM）生产基地，全面进军北美人工智能（AI）半导体市场。该模式为将在韩国生产的动态随机存取存储器（DRAM）在美国进行先进封装，制成HBM，预计将成为美国首个HBM生产基地。
在美国印第安纳州西拉斐特，SK海力士印第安纳晶圆厂项目建设组组长Kim Hyeonjung正在介绍SK海力士先进封装生产现场。美国印第安纳供图：特派记者Hwang Yoonju
View original imageSK海力士于27日（当地时间）在印第安纳州西拉斐特举行HBM先进封装工厂奠基仪式。
印第安纳晶圆厂是SK海力士在美国建设的首座生产设施。公司计划投资约40亿美元，建设生产设施及研发基础设施，并于2028年下半年完成无尘室建设后，自2029年起量产下一代HBM。
该基地将同时开展先进封装工艺及下一代HBM相关研发：把在韩国生产的DRAM芯片进行堆叠和连接，最终制成HBM。即前道工序生产基地设在韩国，而美国则负责先进后道工序、研发及向当地客户供货。
HBM是一种将多个DRAM垂直堆叠、大幅提升数据处理速度的高性能存储器，被用于英伟达等全球科技巨头开发的AI加速器核心部件。
SK海力士目前正生产第六代HBM产品HBM4，并开发作为下一代产品的第七代HBM4E。鉴于印第安纳工厂将于2029年启动量产，预计届时将在该厂生产成为主力产品的下一代HBM。
在美国建立HBM供应链同样具有重要意义。包括目前主导全球AI半导体市场的英伟达在内，美国科技巨头将能够获得在美国完成封装的SK海力士HBM产品。
特朗普政府正推动扩大半导体、AI等先进产业在美国境内的生产，SK海力士的投资也契合美国扶持制造业的战略。
美国政府决定依据芯片法案（CHIPS Act），为SK海力士在印第安纳州的投资提供最高4.5亿美元的直接补贴和规模达5亿美元的贷款支持。
SK海力士也将加强当地研发能力。公司已与在工程领域具有竞争力的普渡大学签署谅解备忘录，以在下一代HBM开发和测试领域开展合作。公司计划通过与大学合作吸纳科研人才，并培养半导体专业人才。
工厂所在地也位于西拉斐特的普渡大学附近。晶圆厂全面投运后，预计将有约1000名员工负责生产、工程及研发等工作。
SK海力士首席执行官兼总裁Kwak Nojung、韩国驻美国大使Kang Kyunghwa、印第安纳州州长Mike Braun、共和党联邦参议员Todd Young等出席了当天的奠基仪式。
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