为写入简历而打印、拍摄
"竞争对手轻易窃取韩国技术实力"
一名前SK海力士员工因涉嫌为跳槽至中国半导体企业而泄露公司核心商业秘密，在二审中同样被判处实刑。
据法律界9日消息，首尔高等法院刑事第10-1庭审判长Lee Sangho、Lee Jaesin、Lee Hyeran，以违反《产业技术保护法》和《不正当竞争防止法》、业务背信罪，判处被羁押起诉的前员工Kim Mo有期徒刑1年6个月，与一审判决相同。
Kim此前在SK海力士中国当地法人工作。其涉嫌于2022年违反公司保密规定，访问内部文件管理系统，通过打印或拍摄方式泄露可互补金属氧化物半导体图像传感器相关尖端技术及商业秘密。
调查显示，Kim在收到中国华为半导体子公司海思等企业的跳槽邀约后，在撰写简历过程中，实际引用并传递了部分涉密资料内容。
此前，一审法院认定Kim泄露商业秘密的罪名成立，并判处实刑。不过，对于其涉嫌泄露下一代存储器技术高带宽存储器相关“混合键合”资料一事，法院以该技术并不完全符合产业通商部公告中“尖端技术”的定义为由，判处无罪。
二审法院同样认为一审不存在法律适用错误或事实认定错误，维持原判。
法院表示：“若不严惩企业投入大量成本和时间获取的技术遭侵害行为，将削弱技术研发动力，也无法阻止海外竞争企业以招聘人才为名轻易攫取韩国企业技术实力的恶性循环。”法院同时指出，量刑时考虑到被告人承认犯罪并表示悔过，以及大量泄露资料已被追回等因素。
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