SK海力士在美国FMS证明“AI存储器综合解决方案企业”竞争力

by Kwon Hyeonji

Published 07 Aug.2026 15:07(KST)

从HBM、DRAM、NAND到下一代存储技术悉数展示
强调与英伟达、戴尔等全球大型科技企业的合作伙伴关系
公开“分层存储器”愿景及HBF标准规范

SK海力士在全球规模最大的半导体展会“FMS（Future of Memory and Storage）2026”上集中展示了新一代人工智能（AI）存储器产品群，再次证明了其作为全球“AI存储器综合解决方案企业”的技术领导力。

本月4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的2026未来内存与存储峰会上，SK海力士展位。SK海力士供图

SK海力士7日表示，公司参加了当地时间4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的FMS 2026，运营展位并展示了覆盖整个AI系统的核心存储器产品组合。

展区分为强调与主要大型科技企业合作的“合作伙伴区”、可了解最新NAND闪存技术的“智能边缘（The Smart Edge）”区，以及展示下一代互连技术的“下一代技术（Next Gen. Tech）”区等。

在“合作伙伴区”，SK海力士将英伟达下一代AI加速器“Vera Rubin”的模型与其高带宽存储器（HBM）4实物模型并列陈列，直观展现了与英伟达的合作关系。同时还展示了HBM4E 12层、HBM4 16层，以及基于低功耗DRAM、专为服务器打造的存储器模块SOCAMM2等尖端DRAM产品。此外，展出的还有搭载于戴尔（Dell）最新AI服务器系统“R7625”的服务器DRAM“64GB DDR5服务器存储器模块（RDIMM）”，以及高性能企业级固态硬盘（eSSD）“PS1110 E3.S”。

两侧还陈列了适用于AI工作负载、具备大容量的“256GB DDR5 RDIMM”，以及以高带宽见长的“128GB DDR5 MRDIMM”等主要服务器DRAM产品，并展示了▲PEB210 E1.S 9.5mm ▲PEB210 M.2 2280 ▲PS1101 E3.S等SK海力士代表性eSSD产品线，方便参观者对比规格和性能。

在“智能边缘”区，“375层4D NAND晶圆”吸引了参观者的目光。该产品较上一代将单位功耗性能提升至2.5倍，针对同时要求能效与性能的数据中心等AI基础设施环境进行了优化。SK海力士计划从明年上半年起正式量产基于该技术的高性能eSSD。同时，公司还介绍了面向移动设备和个人电脑的高性能存储产品，包括LPDDR6、LPDDR5/5X、UFS 5.0等，为实现应用于自动驾驶和机器人等领域的“物理AI”技术提出了解决方案。

在“下一代技术”区，现场演示了基于下一代存储器互连技术Compute Express Link（CXL）的存储器技术。通过将多个存储器整合为一体以提升效率的“池化存储器（Pooled Memory）”技术，现场证明可大幅提高AI智能体服务的数据处理速度，获得参观者热烈反响。

Kim Cheonseong在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的FMS 2026上，以“人工智能代理时代：基于分层存储的人工智能基础设施高效实施方案”为主题发表主旨演讲。SK海力士供图

除展位广受关注外，活动首日举行的主题演讲也受到全球半导体业界人士的高度关注。Kim Cheonseong，SK海力士解决方案开发部门负责人，以及Kang Ukseong，下一代产品企划负责人，在题为“AI智能体时代：基于分层存储器高效构建AI基础设施的方案”的演讲中分析称，随着AI智能体迅速实现商业化，需处理的数据量呈爆发式增长，仅依靠单一半导体产品难以突破性能与效率的局限；为此提出了基于“分层存储器（Tiered Memory）”的下一代架构，通过高效整合速度和容量各异的多种存储器，最大限度减少数据移动。

Kim表示：“随着AI从以训练为中心扩展至推理和智能体AI，基础设施的竞争力已不再仅取决于单个存储器产品的性能，而在于如何将HBM、DRAM、NAND、SSD等配置并连接在最佳位置，以最大限度减少数据移动。”

Kang也表示：“SK海力士拥有从HBM、基于CXL的存储器到eSSD在内的广泛产品组合，覆盖AI基础设施的所有层级。未来，SK海力士的职责将是从产品设计阶段起，与客户共同研究并提供其所需的最优解决方案。”

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活动最后一天，Im Uicheol，SK海力士解决方案AT负责人，与谷歌、闪迪等全球企业围绕下一代存储技术高带宽闪存（HBF）展开讨论。HBF是一种结合了HBM高速性能和SSD大容量优势的新概念存储器。Im解释称：“HBF是提升AI系统扩展性、降低运营成本的核心解决方案。为此，同时设计硬件与软件的协同设计（Co-design）方法至关重要。”

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本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。