“打通AI瓶颈”……三星、SK海力士在全球最大半导体展上展开“存储技术大战”（综合）
双双在未来内存与存储展览会2026发表主题演讲
SK海力士：“高带宽闪存、分层存储器”
三星：“一体化半导体企业整合产品组合”
SK海力士与三星电子将在全球最大半导体展会上，围绕人工智能（AI）基础设施市场的主导权展开较量。
SK海力士4日（当地时间）在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心开幕的全球最大存储器与存储展览会FMS 2026上，与闪迪共同发布下一代存储技术高带宽闪存的首个标准规范。SK海力士供图
View original imageSK海力士将于4日（当地时间）在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心开幕的全球最大存储器与存储展览会FMS（Future of Memory and Storage）2026上，与美国半导体企业闪迪共同发布高带宽闪存（HBF）的首个标准规范。HBF是一种融合高带宽内存（HBM）的高速优势与固态硬盘（SSD）大容量优势的新型存储器。该产品通过堆叠NAND闪存，大幅提升存储容量的同时实现高速数据传输，被认为适合需处理数据量激增的人工智能服务环境。这是双方组建联盟约6个月后推出的规范。
该规范采用8层和16层NAND堆叠，最高容量可达512吉字节（GB），数据传输速度最高为每秒3太字节（TB/s）。由于这是不受图形处理器（GPU）或中央处理器（CPU）类型限制、均可连接的开放标准，预计将成为全行业可共同采用的技术。该规范通过开放计算项目（OCP）对外发布。SK海力士当天还将通过解决方案开发部门负责人、副总裁Kim Cheonseong等人的主题演讲，公布将多种存储器整合连接的分层存储器架构构想。展台还将首次展示正在开发的第十代（V10）375层NAND产品。该产品的能效较上一代提升2.5倍，公司计划于明年初启动采用该产品的企业级固态硬盘量产。
三星电子将推出以存储器为核心的人工智能基础设施战略。该公司认为，依赖计算设备的传统方式，难以应对人工智能需要处理的庞大数据量。存储器业务部门闪存开发室负责人、副总裁Lee Jinyeop，以及动态随机存取存储器开发室常务Kim Gyeongryun将在主题演讲中表示，将凭借涵盖存储器、NAND闪存、控制器、晶圆代工及先进封装的一体化半导体企业能力，解决人工智能数据瓶颈问题。
在展台上，三星电子将重点展示用于数据中心的下一代高带宽内存4E，以及扩容后的计算快速链接存储器模块（CMM-D）。在存储设备领域，公司将展出速度较现有产品快一倍的第六代外围组件互连高速（PCIe Gen6）固态硬盘，以及可存储5万部电影的256太字节（TB）四层单元（QLC）固态硬盘。同时展出的还有用于智能手机、笔记本电脑等设备的低功耗双倍数据速率5X（LPDDR5X）内存内处理器（PIM）、下一代低功耗存储器LPDDR6，以及移动设备用通用闪存存储5.0（UFS 5.0）。三星电子将借此次展会强调其覆盖存储器、晶圆代工及封装的一体化技术实力。
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