“SK海力士明年将被超越”……HBM“逆转预测”引散户骚动

by Seo Jiyeong

Published 03 Aug.2026 14:19(KST)

Updated 03 Aug.2026 15:12(KST)

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瑞银：“三星电子明年超越SK海力士，登顶市场第一”
预计“HBM份额分别为41%和39%”
“AI需求激增……存储芯片景气将持续至2028年”

在人工智能（AI）普及推动存储芯片行业进入结构性增长阶段之际，全球投资银行（IB）作出大胆预测：三星电子将在2027年重夺高带宽内存（HBM）市场第一的位置。分析认为，借助向第六代HBM4升级换代的契机，三星电子将凭借先发量产体系和产能掌握主导权。随着韩国两大芯片巨头围绕主导权的竞争日趋激烈，市场普遍预计存储芯片超级周期将持续至2028年。

HBM4转换期……三星电子重夺第一的情景

瑞士全球投资银行瑞银（UBS）近日在报告中分析称，2027年全球HBM市场的王座将从SK海力士转移至三星电子。瑞银分析师Nicolas Godoa预计，SK海力士将在2026年以48%的HBM位元出货量份额继续保持领先，但2027年三星电子将取得41%的份额，以微弱优势超过SK海力士的39%，升至第一位。

此次预测因逆转时间点较瑞银此前预期提前而受到市场关注。三星电子在第五代HBM3E的应对速度落后于SK海力士，但在第六代产品HBM4上率先启动量产，正加快恢复主导权。事实上，三星电子继今年2月率先向业界出货HBM4量产产品后，正以平泽、华城和龙仁厂区为中心迅速扩大产能。

从“更高”到“更智能”……HBM4的游戏规则改变者

专家评价称，HBM4已超越单纯的存储规格演进，成为改变芯片行业格局的“游戏规则改变者”。截至HBM3E的竞争主要聚焦于将DRAM芯片以12层等方式在物理上堆叠得更高、更密集的技术，而HBM4则革新了存储器本身的设计结构。

HBM4将连接存储器与图形处理器（GPU）的输入输出（I/O）通道从原有的1024个增至2048个，实现翻倍。这一变化可大幅提升数据处理量，对缓解AI计算环境中出现的瓶颈发挥决定性作用。英伟达在下一代AI GPU“Rubin”中采用HBM4，原因也在于此。

此外，HBM4正超越单纯存储器，演变为“综合芯片平台”。由于基底芯片还承担了控制数据流的逻辑功能，这一领域已从单纯的DRAM技术扩展为融合逻辑芯片设计、混合键合、先进封装及散热控制技术的复合产业。业内评价称：“HBM竞争正从单一产品竞争演变为系统集成能力竞争。”

存储芯片超级周期将延续至2028年……需求持续激增

不过，市场普遍认为，HBM市场第一位的更替并不意味着SK海力士的增长将放缓。瑞银指出，能够自主判断和运行的“智能体AI（Agentic AI）”普及，正大幅推高整体存储器需求。据预测，全球DRAM位元需求增速将从2026年的22%跃升至2027年的36%，NAND闪存需求增速也将从20%扩大至23%。

随着AI基础设施扩建，应用于服务器和个人电脑中央处理器（CPU）的DDR5、LPDDR5需求正快速增长，NAND闪存的应用范围也正扩大至键值缓存和大容量企业级固态硬盘（eSSD）存储等领域。特别是新增DRAM晶圆产能集中投向HBM，通用存储器的供应短缺现象很可能持续至2028年。

SK海力士有61%上涨空间……目标股价204美元

瑞银反映这一结构性增长环境，对SK海力士美国存托凭证（ADR）给予“买入（Buy）”评级，并设定204美元的目标股价。这意味着未来一年内约有61%的上涨空间。

尽管SK海力士第二季度DRAM平均销售价格（ASP）环比仅上涨30%，且HBM4出货时间部分延后，但该公司已与美国超大规模云服务商及大型原始设备制造商（OEM）签署共10份长期供应协议（LTA），强化了中长期盈利基础。此外，公司还将年度资本支出（CAPEX）指引上调至40万亿韩元后段，采取积极应对措施。