募资295亿元人民币，集中升级DDR5、低功耗双倍数据速率存储器制程
追赶DDR5已成现实，HBM竞争力差距显著
“HBM之父”Kim Jeongho教授：“对韩国半导体企业的评价令人遗憾”
长鑫超越英特尔，跻身半导体行业市值第9位
中国最大动态随机存取存储器（DRAM）企业长鑫存储（CXMT）上市虽给韩国半导体行业带来冲击，但仅从招股文件中的投资计划来看，短期内似乎难以颠覆由三星电子和SK海力士主导的存储器市场格局。
长鑫的投资计划并非直接追赶高带宽存储器（HBM），而是聚焦于第五代双倍数据速率存储器（DDR5）、低功耗双倍数据速率存储器（LPDDR）等当前主力DRAM产品的制程升级及成本竞争力提升。
不过，中国已获得在服务器、个人电脑和移动DRAM市场追赶韩国企业的资金弹药，中长期威胁已愈发明确。
据28日对长鑫招股文件的分析，其募资资金使用计划总额为295亿元人民币（约合6.39万亿韩元）。长鑫计划分别投入75亿元人民币（约合1.62万亿韩元）用于现有存储器晶圆量产线技术改造，投入130亿元人民币（约合2.82万亿韩元）用于DRAM技术升级，并投入90亿元人民币（约合1.95万亿韩元）用于下一代DRAM前沿技术研发。
单看投资规模，虽不及三星电子和SK海力士数十万亿韩元级别的投资，但关键在于，作为后来者的中国企业已开始瞄准韩国的主力产品线展开集中投资。
占比最大的是DRAM技术升级。该项目总投资额为180亿元人民币（约合3.9万亿韩元），其中174亿元人民币（约合3.77万亿韩元）将用于设备采购和安装。长鑫计划在2028年上半年之前，将现有生产线转换为领先一代的制程平台。这并非大规模新建工厂，而是着重提升现有生产线的制程水平，以改善良率和成本。
现有晶圆量产线改造也将投入75亿元人民币。这被解读为扩大中高端DRAM产品生产比重的投资。若在此过程中更多引进中国半导体设备、材料和零部件，长鑫的投资还可能促进整个中国半导体供应链的技术积累。
下一代DRAM前沿技术研发获分配90亿元人民币。招股说明书提及DDR5、低功耗双倍数据速率存储器第五代扩展版（LPDDR5X）、第六代低功耗双倍数据速率存储器（LPDDR6）、计算快速互连（CXL）、存内计算和近存计算等未来DRAM技术方向。这意味着公司将获取服务器、个人电脑、移动终端及人工智能计算环境所需的高性能、低功耗存储器技术。
这显示，长鑫的生产结构正转向三星电子和SK海力士主力布局的DDR5及LPDDR5、LPDDR5X市场。长鑫已停止生产自有DDR4产品，并开始向以DDR5为核心的制程转换。
三星电子和SK海力士在HBM和先进DRAM领域仍保持领先，但若中国境内个人电脑、服务器和智能手机企业开始以长鑫产品替代DDR5和LPDDR产品，韩国产DRAM在中国市场的份额及定价能力或将受到冲击。尤其是通用型和移动DRAM占比较高的三星电子，可能更直接受到长鑫良率改善及中国客户扩大带来的影响。
还应关注长鑫将如何使用较招股文件披露计划大幅增加的募资资金。长鑫实际募资总额为579.2亿元人民币（约合12.54万亿韩元），接近已披露具体用途的295亿元人民币的两倍。其将如何使用超出原计划募集的约284亿元人民币（约合6.15万亿韩元），可能成为追赶韩国和美国存储器企业的“隐藏王牌”。
从目前公开的招股文件看，尚未直接列明HBM、硅通孔（TSV）、堆叠与键合以及先进封装生产线。但若新增资金投向通用DRAM扩产，价格压力可能加大；若投向HBM、TSV和先进封装，则市场对其追赶人工智能存储器的担忧可能升温。
即便与SK海力士的融资规模相比，也可看出长鑫短期内难以颠覆全球DRAM市场格局。SK海力士近期通过美国存托凭证（ADR）公开发行募集约265亿美元（约合40万亿韩元），规模超过长鑫579.2亿元人民币（约合12.5万亿韩元）募资总额的三倍。
行业领军企业三星电子和SK海力士已在HBM、先进DRAM、先进封装及韩国国内生产基地扩建方面进行数十万亿韩元级别投资，因此难以将长鑫上市立即解读为存储器市场主导权发生变化。
KAIST电气电子工程学院教授Kim Jeongho表示：“以长鑫的利润规模和当前技术实力，要在短期内追赶三星电子或SK海力士并不容易。令人遗憾的是，市场对韩国半导体企业的评价出现了大幅波动。”
另一方面，长鑫上市带来的冲击在股市中也十分突出。上市次日的28日，长鑫市值达到700万亿韩元级别，约为股价大跌的SK海力士市值的60%。同日，三星电子按普通股计算的市值被美国美光反超。市场显然给予了这家在技术实力上仍与韩国企业存在差距的存储器厂商较高估值。
长鑫还超越了作为DRAM商业化先驱的英特尔市值，按市值计升至全球半导体行业第9位。
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