三星晶圆代工在HBM5中全面导入“2纳米全环绕栅极”……剑指人工智能半导体主导权
博通、OpenAI合作推动路线图具体化
存储器、晶圆代工、封装“一站式交钥匙”能力见效
三星电子将率先在第八代高带宽内存HBM5中导入2纳米（1纳米=十亿分之一米）全环绕栅极工艺。近期，三星电子与博通、OpenAI等全球大型科技企业达成大规模人工智能半导体晶圆代工及内存合作，如今又公开具体技术路线图，被解读为旨在强化市场主导权。
三星电子晶圆代工业务部技术开发室室长Gu Jaheum于27日通过三星电子新闻编辑室表示：“预计HBM5的运行速度需较上一代HBM4E提升约50%以上。为满足行业需求，HBM5的基础裸片将采用使用全环绕栅极结构的2纳米工艺，以实现集成度更高的硅通孔。”
此次发布被认为是落实李在明会长在旧金山与全球大型科技企业负责人达成的大规模晶圆代工及内存长期供应构想的核心技术基础。此前，三星电子于24日当地时间与博通达成战略合作，计划截至2030年在内存和晶圆代工领域开展规模达2000亿美元（约292万亿韩元）的合作；翌日，李会长还与OpenAI首席执行官Sam Altman会面，讨论人工智能及半导体合作方案。
Gu Jaheum表示：“随着人工智能半导体市场增长，对晶圆代工先进工艺的需求也在持续扩大。三星晶圆代工已于去年下半年启动2纳米第一代工艺量产，计划于今年下半年开始量产基于良率和性能均获改善的2纳米第二代工艺的移动端新产品。”
尤其是，本次峰会上博通等全球大型科技企业选择三星电子的核心原因——“一站式交钥匙”能力，正受到高度评价。Gu Jaheum副社长表示：“从设计阶段起，内存、晶圆代工及测试与系统封装组织便可协同合作，在速度、功耗、发热和良率方面优化设计，并缩短完成量产产品的时间。通过组建专项工作组进行紧密响应，HBM4基础裸片从首个样品起便达成了性能和良率目标，整个过程仅用约3个月便有序完成。”
三星晶圆代工计划将先进工艺的应用范围从移动端拓展至人工智能/高性能计算、汽车以及云服务提供商等多个领域，落实其在旧金山宣布的“全球人工智能供应链核心枢纽”愿景。
Gu Jaheum表示：“去年承接面向汽车领域的特斯拉2纳米产品订单，证明了工艺竞争力，并以此为契机，陆续获得多家人工智能/高性能计算、云服务提供商大型客户的订单。三星晶圆代工今后也将依托先进工艺的坚实技术竞争力，持续扩大市场份额。”
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