在全球三大半导体学会会议上公开研究成果
庆北大学电子工程学院 Kim Daehyeon 教授团队开发出最大振荡频率（fmax）达到742GHz的45纳米级氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。
氮化镓高电子迁移率晶体管的最大振荡频率突破700GHz，这在全球尚属首次。
（左起）庆北大学半导体融合技术研究院 Lee Ingeun 博士后研究员（参与作者）、庆北大学电子工程系 Park Wansu 博士生（第一作者）、庆北大学电子工程系 Kim Daehyun 教授（通讯作者）。庆北大学供图
View original image此次研究成果于本月18日（美国当地时间）在美国夏威夷檀香山举行的半导体领域国际学术会议“2026年超大规模集成电路研讨会”上公开。
超大规模集成电路研讨会被视为全球三大半导体学会会议之一，也是尖端半导体器件与电路技术领域具有代表性的国际学术会议。
GaN半导体凭借优异的材料特性，长期以来在高功率射频（RF）半导体领域备受关注。
不过，接近太赫兹的超高频领域一直由磷化铟（InP）基器件主导，而氮化镓器件因频率特性较低，一直被认为在超高频应用方面存在局限。
Kim 教授团队采用栅长为45纳米的超微细栅极工艺，并应用可降低源极和漏极区域接触电阻的“选择性n+ GaN再生长技术”，克服了这一局限。
借此开发出的GaN HEMT实现了742GHz的fmax，这也是GaN晶体管的fmax首次突破700GHz。
此外，该团队还实现了综合反映截止频率（fT）与fmax的性能指标（favg）497GHz，为GaN基础超高频电子器件技术提出了新的标准。
庆北大学 Kim Daehyeon 教授表示：“此次研究的一大意义在于，这是联合研究机构 QSI 的化合物半导体器件制造产线与大学在器件及电路研究方面能力相结合的代表性产学合作成果。”他还称：“将以此次成果为基础，进一步加快面向6G及韩国国防用亚太赫兹频段的下一代GaN电子器件研究。”
此次研究获得三星未来技术培育项目和军民两用技术开发项目支持，由庆北大学牵头，联合QSI、韩国电子通信研究院、IVWorks、韩国科学技术院以及美国得州理工大学共同完成。
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