Jensen Huang 面前秀肌肉？三星电子首次公开 HBM5 模型：“将满足英伟达等客户需求”

三星电子公开了第8代高带宽存储器（HBM5）的首个实物模型，展现出抢占下一代HBM技术制高点的意志。

三星电子首席技术官（CTO）Song Jaehyuk于2日在中国台湾台北举行的“Computex 2026”三星显示展台接受采访时表示，“人工智能（AI）技术并非单一技术，涵盖存储、封装以及热管理在内的整个系统优化至关重要。”他称，“三星作为同时拥有存储和晶圆代工（半导体委托生产）的综合半导体企业（Integrated Device Manufacturer），具备优化整体系统的优势。”并表示，“将通过这一优势满足包括英伟达在内的最终客户需求。”

三星电子此次展会首次正式公开HBM5模型，并介绍了将首次应用于HBM5的核心热管理技术“HPB（Heat Path Block）”结构。三星电子计划在HBM5中率先采用由自家晶圆代工2纳米（1纳米=十亿分之一米）工艺制造的基础裸片。

2日，在中国台湾台北举行的“COMPUTEX 2026”上，三星电子在三星显示展台展示的第8代高带宽存储器（HBM5）实物模型。记者 Kim Jinyoung 供图。

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HPB是为解决提升AI存储性能过程中可能产生的发热问题而开发的技术，其设计可更高效地分散并释放裸片与裸片之间物理表面产生的热量。三星电子已基于HBM4E完成HPB技术的实现与验证。今后将从HBM5开始正式应用，进一步提升性能与稳定性。

Song Jaehyuk表示：“在HBM5中，为优化基础裸片，将引入2纳米尖端工艺。”他称，“公司正准备满足市场所要求的带宽和电力效率。”他还表示：“自引入环绕栅极（GAA）技术以来，过去3至4年积累的研发成果正得到良好体现，将借此 확보差异化竞争力。”

2日（当地时间），三星电子首席技术官（CTO）Song Jaehyuk在台湾台北举行的“Computex 2026”三星显示展台与记者见面并进行问答交流。记者 Kim Jinyoung供图。

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尤其是，三星还公开了被视为下一代HBM核心技术的混合键合技术应用现状。Song Jaehyuk表示：“混合键合是在无间隙状态下直接连接的技术，能够缩小连接焊盘间距，也更有利于提升带宽。”他强调：“如果说现有的TCB属于封装技术，那么混合键合则是基于三星强项——硅工艺的技术。”

关于下一代HBM堆叠结构，他表示：“正在考虑12层、16层、20层堆叠，并正根据客户对存储容量提升的需求推进技术开发。”

此外，Song Jaehyuk在谈及半导体微细工艺的发展方向时表示：“正在从设备、材料和生态系统层面推进迈向1纳米以下的准备工作，认为1纳米以下工艺也将成为可能。”

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2日，在中国台湾台北举行的“Computex 2026”上，三星电子在三星显示展台展出的HBM4E晶圆和芯片组。记者 Kim Jinyoung。

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三星电子当天还在展会上公开了上月底完成业内首次样品出货的HBM4E晶圆和芯片组。三星电子HBM4E结合最先进的1c动态随机存取存储器核心裸片与自家晶圆代工4纳米工艺基础裸片，可实现每引脚14Gbps（每秒千兆比特）的运行速度，并成功实现最高16Gbps（最高约4TB/s带宽）。

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