三星电子全球首发HBM4E 12层样品出货…巩固存储超越性差距(更新)
采用1c DRAM与4纳米逻辑芯片
实现最高16Gbps速度
能源效率提升16%
三星电子率先在全球出货第7代高带宽存储器（HBM4E）12层样品，正式开启巩固其在存储领域“超越式差距”的步伐。
三星电子29日表示，已首次在全球范围内向其全球客户紧急供应将成为下一代人工智能（AI）加速器核心的“HBM4E 12层”样品。
继今年2月成功量产并出货实现业内最高速度的第6代HBM4，树立重要里程碑后，三星电子仅用数个月时间就启动下一代HBM4E的供应，再次证明了其在存储技术上的领导地位。
三星电子的HBM4E通过设计与工艺优化，实现了独一无二的规格。其单引脚工作速度从14Gbps最高可支持到16Gbps，相比前代HBM4提升了20%以上。以单一堆栈为基准，可提供每秒3.6TB的带宽，从而最大化提升大型语言模型（LLM）及下一代AI系统的运算速度。
在容量方面也有所提升。HBM4E 12层产品实现了48GB的大容量，比前代产品容量提升30%以上。三星计划今后根据客户多样化的服务环境，将产品线进一步无缝扩展至32GB（8层）、64GB（16层）。
HBM4E采用了在前代产品中已验证的最先进工艺基础上的1c（10纳米级第6代）动态随机存取存储器，以及自家晶圆代工（半导体代工生产）的4纳米（1纳米＝十亿分之一米）逻辑芯片。业内评价称，这在最大化超精细工艺稳定性的同时，也确保了良率与量产性。此外，通过集成低功耗设计及封装结构优化技术，与前代产品相比，能源效率提升16%，热阻特性改善超过14%。
三星电子存储事业部开发负责人副社长 Hwang Sangjun 表示：“继HBM4量产成功之后，我们又顺利完成了下一代HBM4E样品的供应，已将三星电子无可比拟的技术领导力牢牢刻印在市场之中。今后我们还将以压倒性的技术超越差距和前瞻性的生产基础设施投资为基础，强有力地引领全球AI存储器市场的增长。”
三星电子计划以此次样品供应为起点，按照客户进度推进量产供应。今年2月全球首批量产出货的HBM4目前也在扩大量产供应。去年12月，三星电子HBM4在系统级封装（SiP，System in Package）这一最终认证阶段的测试中，证明了11.7Gbps的业内最高速度水平，获得了最高等级评价。
版权所有 © 阿视亚经济 (www.asiae.co.kr)。 未经许可不得转载。
