引用提交给越南当局的项目报告
据多家主要海外媒体报道，三星电子为应对因人工智能（AI）需求激增而引发的全球存储器半导体供应短缺，计划在越南建设半导体测试工厂。
根据27日（当地时间）Investing.com等的报道，三星电子在提交给越南当局的项目建议书中表示，计划在越南投资约39万亿越南盾（约15亿美元，折合韩元约2.2万亿韩元）建设半导体测试工厂。
李在镕 三星电子 会长为随同印度、越南经济代表团出访， 上个月19日 通过首尔江西区 Seoul Gimpo Business Aviation Center(SGBAC) 出境。 联合新闻供图
View original image该工厂位于距离河内以北约60公里的太原省工业园区，目前已开工建设，预计明年11月开始投产。
此次新建工厂将专注于DRAM和NAND存储芯片测试。项目建议书中注明的工厂年处理能力为：DRAM达1533亿千兆比特（Gb），NAND闪存达2556亿Gb。
外媒称，越南政府已于今年3月批准该投资方案，三星电子正考虑将该项目所产生的利润进行再投资，追加建设最高规模达25亿美元的第二座工厂。
本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。
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