参加欧洲最大电力半导体展会
去年首次参展，后续商业化推进中
公开下一代电力半导体开发进展
DB Hightech将于6月9日至11日（当地时间）参加在德国纽伦堡举行的欧洲最大电力半导体展会“PCIM（Power Conversion and Intelligent Motion）2026”，加速开拓欧洲市场。
DB Hightech于去年首次参加PCIM，与数十家客户进行了线下面对面会谈，介绍了主要工艺技术并讨论合作方案。当时共有1000多人参观展台。公司表示，随着去年会谈客户的后续业务化正式展开，从今年起有望开始产生可见的业绩。
在本次展会上，DB Hightech将分享作为下一代电力半导体而备受关注的SiC（碳化硅）及GaN（氮化镓）工艺的最新开发进展，并以掌握业内顶尖技术水平的BCDMOS（复合电压器件）工艺为核心进行技术展示。此外，还将与多家客户举行会谈。
根据半导体·电子领域市场调研机构Yole Development的数据，全球SiC及GaN电力半导体市场预计将保持快速增长。SiC市场将从2026年约48亿美元扩大到2030年约104亿美元，年均增速约21%。同期，GaN市场也将从2026年约9亿美元扩大到2030年约29亿美元，年均增速预计约33%。
DB Hightech已于2025年12月基于SiC及GaN工艺开展MPW（多项目晶圆）业务，分别为10家以上客户生产了产品，并于2026年3至4月向客户交付。目前客户评估正在进行中，公司计划根据评估结果最终固化量产工艺。SiC及GaN工艺预计将于2027年开始正式量产。
DB Hightech目前以主力产品电力半导体为中心，正与约400家客户进行量产合作。除此之外，公司还依托X射线、全球快门（Global Shutter）、SPAD（单光子雪崩二极管）等特化图像传感器工艺技术，与多家客户展开合作。在应用产品方面，工业用及车载产品的比重正持续上升。
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