市场调研机构Counterpoint Research的展望
有观点认为，SK海力士最快将于2029年推出第8代高带宽存储器（HBM5），并同步正式在量产阶段全面导入混合键合技术。
市场调研机构Counterpoint Research于6日表示：“SK海力士通过提前导入应用材料公司（Applied Materials, AMAT）与BE Semiconductor Industries（BESI）的整合混合键合解决方案，正抢先获得在带宽、时延、功耗、速度等多方面性能需求上予以满足的战略性优势。”
混合键合（HCB）是一种在堆叠半导体芯片时，不再在中间加入“凸点”（焊锡凸起），而是直接实现铜与铜之间连接的超精密接合技术。通过将芯片间距降到最低，可以大幅减薄整体厚度，同时显著提升数据传输速度和散热性能，被视为改变游戏规则的“Game Changer”。
目前，就HBM产品而言，由于JEDEC（国际标准组织）的标准有所放宽，最多可以在16层堆叠中使用热压键合（TCB）工艺。但包括英伟达在内的主要大型信息技术企业（Big Tech）客户的规格要求正不断提高，从长期来看，引入混合键合已成为不可避免的趋势。
因此，三星电子、SK海力士、美光等所谓存储器“三大巨头”为了应对下一代人工智能需求，正推动从HBM4之后的产品世代开始导入混合键合技术。三星电子通过在天安园区引进子公司SEMES的混合键合设备，加快推进设备自研自供。SK海力士同样计划在今年4至5月开展正式的混合键合工艺验证，据悉已向Hanmi Semiconductor、Hanwha Semitec等设备供应商下达相关技术开发订单。
Counterpoint Research认为，HBM5将成为混合键合竞争的分水岭。该机构称：“预计SK海力士将配合下一代人工智能图形处理器（GPU）周期，于2029年至2030年前后推出HBM5”，并评价称：“导入混合键合设备有望为其维持HBM市场领导地位提供重要的战略性优势。”
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