英伟达催“尽快供货”…三星早已做好准备

by Park Joonyi

by Jang Bokyeong

Published 13 Feb.2026 09:50(KST)

Updated 13 Feb.2026 13:30(KST)

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三星首次正式宣布HBM4量产出货
通过英伟达质量测试，“客户非常满意”
海力士、Micron称“HBM4正量产中”
良率等量产性成关键，供应竞争打响

三星电子正式宣布率先实现第六代高带宽存储器（HBM）4的量产出货，全面展开抢占市场的行动。业内原先预计向英伟达等主要客户供货的时间点在本月第三周之后，但由于客户提出在春节连休前供应产品的提前交付请求，再加上三星电子已稳定 확보良率，出货时间被提前。随着三星打响“第一枪”，SK海力士、Micron等存储器厂商之间的供应竞争预计将更加激烈。

三星电子 HBM4 产品照片。三星电子提供。

据半导体业界13日消息，三星电子存储器开发负责人副社长 Hwang Sangjoon 前一天通过新闻稿表示：“三星电子 HBM4 打破以往沿用既有验证工艺的惯例，采用了与第1c代动态随机存取存储器（1c DRAM）及代工 4纳米（1纳米=10亿分之1米）相同的最先进工艺”，“通过工艺竞争力和设计改进，充分确保了性能扩展的余力，从而能够及时满足客户提出的性能提升要求”。

这被视为其满足了英伟达所要求的技术性能并通过质量（Qualification）测试，已进入产品生产阶段。HBM4 预计将搭载于英伟达下一代人工智能（AI）芯片“Vera Rubin”上。三星电子设备解决方案（Device Solutions）部门首席技术官（Chief Technology Officer，CTO）社长 Song Jaeheok 也在本月11日“Semicon Korea 2026”活动现场谈及 HBM4 出货消息时表示：“这才是我们本来的面貌”，对于客户反馈亦称“非常令人满意”。

三星 HBM4，实现最高 13Gbps 速度

三星电子 HBM4 产品照片。三星电子提供。

三星电子将最先进工艺和高速运行作为主要优势。本次 HBM4 采用 1c DRAM 和 4纳米基底芯片，从量产初期起在无需重新设计的情况下便实现了稳定的良率和性能。其还实现了以引脚速度为基准的 11.7Gbps（每秒千兆比特）性能。与国际半导体标准化组织（JEDEC）标准（8Gbps）相比，高出约 46%，并可扩展至最高 13Gbps。

此外，在单一堆叠条件下，存储器带宽最高可达 3.3TB/s（每秒太字节），高于客户要求的 3.0TB/s 水平，三星电子对此予以强调。容量方面，以 12层堆叠为基准提供 24GB～36GB，并计划在采用 16层堆叠时将容量扩展至最高 48GB。

随着数据传输输入/输出（Input/Output，I/O）引脚数量从 1024个增加到 2048个而带来的功耗与热量集中问题，三星电子在核心芯片上应用了低功耗设计技术予以解决。同时，通过采用硅通孔（Through Silicon Via，TSV）数据收发低电压设计技术并优化电源分配网络（Power Delivery Network，PDN），与前一代产品相比，将能效提升约 40%，热阻特性改善约 10%，散热特性提升约 30%。

率先插旗的三星，愈发激烈的“三强战”

随着三星电子正式宣布向英伟达出货 HBM4，主要存储器厂商之间的供货竞争也被点燃。此前被认为已在英伟达 HBM4 供应竞争中出局的 Micron 也表示：“我们已经开始 HBM4 的量产，并已启动向客户出货”，再次被外界视为有重回供应链的可能。Micron 首席财务官（Chief Financial Officer，CFO） Mark Murphy 于11日（当地时间）在美国某半导体会议上强调称：“Micron 的 HBM4 产品可提供超过 11Gbps 的速度，对产品性能、品质和可靠性充满信心”，“今年的 HBM 供应量已经全部售罄”。

竞争对手 SK海力士则表示，正量产客户所要求的供货量。SK海力士社长 Song Hyunjong 在上月29日的业绩发布会上表示：“HBM4 也正按照同样的流程，依照与客户协商的时间表按计划推进”，“HBM4 自去年9月构建量产体系后，目前正在量产客户所要求的数量”。据业内消息，SK海力士同样通过了英伟达的质量测试，计划于本月内大规模出货 HBM4 产品。