“K-半导体胜负手在封装”……HBM专业人才培养全面启动
纳米综合技术院与韩国微电子及封装学会签署合作备忘录
通过培养专业人才提升研发与产业竞争力
计划积极利用300毫米晶圆设备
为确保决定人工智能（AI）半导体核心——高带宽存储器（HBM）等性能的先进封装技术竞争力，研究一线与学界携手合作。
科学技术信息通信部下属公共半导体晶圆厂——纳米综合技术院与韩国微电子及封装学会于11日在首尔江南诺富特大使酒店签署了“培养先进封装专业人才”的战略业务协议（MOU）。从左起依次为 Joo Youngchang 学会会长、Lee Kangwoo 科学技术信息通信部科长、Park Heungsoo 院长。照片=Baek Jongmin 科技专家提供
View original image科学技术信息通信部下属公共半导体晶圆厂——纳米综合技术院（나노종합기술원）与韩国微电子及封装学会（한국마이크로전자 및 패키징학회）于11日在首尔江南诺富特大使酒店签署了“培育先进封装专业人才”的战略业务协议（MOU），并表示将正式启动人才培养工作。
当天活动上，韩国微电子及封装学会会长 Joo Youngchang、纳米综合技术院院长 Park Heungsoo、韩国无晶圆半导体产业协会会长 Kim Hyeongho、下一代智能半导体事业团团长 Kim Hyeongjun 等半导体与封装相关领域专家出席。
本次协议旨在解决在快速增长的AI半导体市场中，技术难度不断提高的封装领域所面临的人才短缺问题。国内唯一的公共半导体晶圆厂纳米综合技术院与该领域顶级专家团体——封装学会将直接构建协作体系，把技术院所拥有的硬件条件与学会掌握的专家经验和技术诀窍相结合。
双方机构通过本次协议决定，不仅停留在简单的设备建设或基础教育层面，而是重点培养能够在产业一线立即投入使用的“实务型工程师”。为此，将利用技术院已建成的基于12英寸晶圆的先进封装一站式工艺设备，每年培养80名专业人才。学员们将亲自操作高带宽存储器制造的核心技术——硅通孔（TSV）、再布线层（RDL）中介层工艺等，培养现场实战感。纳米综合技术院也计划积极配置封装相关设备，全力支持人才培养。
Joo Youngchang 会长表示：“封装技术人才只能在能够操作300毫米晶圆的场所进行培养，这也是纳米综合技术院成为最佳合作伙伴的原因。利用纳米综合技术院的300毫米设备，可以培养封装所需的材料、机械等多个领域的人才。”
Park Heungsoo 院长强调：“通过与学会的合作，技术院将充分发挥作用，培养能够牵引大韩民国下一代半导体产业生态系统的实务型人才。”
科学技术信息通信部为强化国内先进封装生态，自2024年起共投入495亿韩元预算，支持先进封装设备和工艺技术的建设。
科学技术信息通信部源泉技术课长 Lee Gangwoo 表示：“本次在政府投资建设的先进封装测试平台基础设施之上，叠加封装学会的人才专业性所形成的协作模式，将在韩国强化其在半导体后工序领域的全球竞争力方面发挥重要作用。”
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