[台湾芯片通信]美光收购台湾PSMC工厂 → 设备订单到位…加速推进工艺转换

by Park Joonyi

Published 26 Jan.2026 09:59(KST)

AI热潮下PSMC扩大供给
美光启动各地工厂收购
美光产能有望提升10%

在美国半导体企业美光收购台湾晶圆代工厂商PSMC（力晶）的工厂之际，PSMC已着手推进DRAM工艺高度化计划。

据台湾《经济日报》等当地媒体26日报道，PSMC的P5工厂目前具备每月5万片的存储器生产能力，正基于2X纳米工艺代工生产DRAM和特种闪存。全球DRAM市场因人工智能（AI）应用扩张，已进入长期供不应求阶段。在此过程中，PSMC在近期客户需求压力不断加大的背景下，决定启动新一轮投资，以改善存储器工艺。

台湾晶圆代工企业PSMC（Powerchip）P5工厂。PSMC提供。

PSMC正加快工艺转换步伐。公司已在考虑紧迫性的基础上于董事会上通过增资方案，与美光之间的工厂出售及战略合作协议预计将在第二季度签署。随后，在今年定期股东大会批准后，将按照管理层计划立即启动设备订购。本次收购标的包括土地、厂房建筑及洁净室，预计2026年至2027年期间，现有及新购设备将分阶段导入。引进设备将以实现DRAM微缩工艺转换的前段制程设备为核心，预计自2027年起开始量产。

PSMC表示，将长期向美光提供DRAM后段先进封装代工服务，同时美光将协助力晶P3工厂推进DRAM工艺高度化。由此，PSMC在DRAM代工领域的竞争力有望进一步增强。这不仅将支持海内外存储器设计企业开发大容量、高速、高规格产品，同时也将提升晶圆堆叠（WOW）代工服务的竞争力，有望在AI应用领域承接大型客户需求。

市场调研机构TrendForce预测，此次收购将提升美光的先进工艺DRAM产能。TrendForce预计，今年第四季度美光的全球DRAM产能将提升10%以上。去年第三季度，在全球DRAM产业中，美光的营收市场份额为25.7%，位居第三。2024年以后，随着AI热潮带动高带宽存储器（HBM）、DDR5、LPDDR5X等先进工艺DRAM需求扩张，美光一方面持续投资美国ID1工厂、新加坡HBM后段封装产线，另一方面通过收购工厂缩短产能建设周期。

美光近期也在为强化先进工艺能力而积极推进工厂收购。此前已收购台湾面板厂商AUO位于台南、台中两地的工厂，并正推动将新加坡工厂内部分NAND闪存洁净室转换为DRAM工艺产线的计划。

目前PSMC的DRAM生产主要基于25纳米和38纳米工艺，DDR4产品相对仍停留在低容量生产线。不过，随着近期与美光签署合作谅解备忘录（MOU），业界认为，公司有望在今后一年内获得1Y纳米（10纳米级第一代）工艺授权，并进一步扩展至1Z纳米（10纳米级第三代）工艺。若如此，PSMC不仅可以提升DDR4产品容量，还将强化自身工艺竞争力。业内预计，通过这一布局，PSMC有望在消费级DRAM市场维持既有地位并扩大产量，同时构建一种不与美光最尖端产品线直接竞争的产业结构。

台湾《经济日报》记者 Yang Lingyuan 翻译=《亚洲经济》