半导体综合企业蓝图
全球订单连连告捷信心高涨
存储与非存储融合协同全面启动
战略核心轴晶圆代工多方位布局
凭特斯拉AI芯片订单证明技术实力
Exynos 2600成自研AP复活信号弹
以4纳米HBM4基底芯片打造差异化
2纳米工艺之争与台积电正面对决
通过GAA技术最大化性能与能效
凭良率提升与价格策略反攻市场

三星电子在晶圆代工(半导体代工生产)领域的氛围,已从谋求逆转进一步转向追求新的飞跃。全球企业接连下单,在这一过程中获得认可的技术实力成为其自信的基石,三星毫不掩饰要把这一优势培育成“万能钥匙”的野心。其核心构想,是将非存储的晶圆代工业务与存储业务结合,产生协同效应并将各类构想落地。近期这一尝试已开始逐步产出颇具成效的成果,业界关注度也随之不断升高。


[专栏]“反转”之后的三星代工:押注存储与非存储协同效应 View original image

上月22日在首尔江南区COEX举行的“半导体大展(SEDEX) 2025”开幕式上,三星电子首席技术官(CTO)总裁Song Jae-hyuk看上去信心十足地谈及存储与非存储协同合作的问题。作为大会主旨演讲人登台的他表示:“三星是全球唯一一家同时拥有DRAM、NAND、系统半导体和封装能力的公司,以前也曾想过这是不是一种沉重负担”,但“我认为,拥有多样‘科目’的公司,反而能产生更好的协同效应”。类似“摩尔定律”所指的那样——半导体集成电路性能大约每两年翻一番——当前半导体技术演进并未停留在某一特定技术上,而是DRAM、NAND、系统半导体与封装技术的进步不断跨越边界、交叉融合,因此,他强调,现在正是顺应这一趋势,利用非存储领域推动存储演进、发起挑战的时刻。三星打算将晶圆代工作为实现这一目标的武器。


多领域运用晶圆代工,展露十足自信

从上月22日开幕、至24日在首尔COEX举行的第27届半导体大展上三星电子展台的内容来看,如果撇开晶圆代工几乎很难展开叙述。就展区整体构成而言,或许难言晶圆代工是唯一主轴,但其所占比重并不小。三星在展区各处展示的看家技术,大多都以晶圆代工为基础。


三星正在多个业务中融入晶圆代工技术,而晶圆代工本身也被评价为已高度进化。最具代表性的,就是俘获Tesla芳心的车规级工艺。在展会上,三星通过宣传视频以及整理详尽内容的图表展示了车用晶圆代工工艺技术。其要点是,三星的车规工艺技术已经覆盖从14纳米(nm,十亿分之一米)到2纳米的多种制程,并达到了极为精细的水平。凭借这项技术,三星在今年7月与Tesla签订了规模达22.8万亿韩元的人工智能(AI)芯片供应合同。合同核心是代工生产Tesla的高性能芯片“AI6”。据悉,三星将采用2纳米工艺进行生产。随后,Tesla最近又决定,让三星与台积电(TSMC)共同承担“AI5”芯片的生产工作。


决定在明年Galaxy S26系列中搭载移动应用处理器(AP)Exynos 2600,也是晶圆代工引以为傲的成果之一。生产智能手机的三星,此前一直将自研并搭载AP视为一道难题,为解开这一“课题”,晶圆代工部门持续投入努力。开发自家AP,是降低智能手机生产成本、并实现对海外供应商技术独立的捷径,因此意义尤为重大。经历多次试错之后,最终通过Exynos 2600得以“解心结”。在本次展会上,三星展出了低一档的Exynos 2500,并介绍了相关技术。


Samsung Electronics首席技术官(CTO)社长Song Jaehyuk上个月22日在首尔江南区COEX举行的“半导体大展(SEDEX) 2025”上,以“通过协同效应实现半导体创新”为主题发表主旨演讲。联合通讯社供图

Samsung Electronics首席技术官(CTO)社长Song Jaehyuk上个月22日在首尔江南区COEX举行的“半导体大展(SEDEX) 2025”上,以“通过协同效应实现半导体创新”为主题发表主旨演讲。联合通讯社供图

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在本次展会上,三星首次向韩国公众公开了6代高带宽存储器(HBM4)12层产品的实物,并重点宣传了HBM4基底芯片将采用自家晶圆代工4纳米工艺制造的事实,引人注目。基底芯片位于HBM最底层,是负责存储器运行控制和数据分配的一种“底座”。从HBM4开始,基底芯片的功能也发生转变,不仅要提升AI运算效率,还要承担能耗管理等更加积极的角色,因此各家公司在选择基底芯片的生产工艺时更加谨慎。三星决定采用自家4纳米晶圆代工来生产基底芯片,从而与把基底芯片生产交给台湾台积电的其他厂商拉开差异。在本次展会上,三星还专门设置了独立视频,对此内容进行说明,以凸显这一区别。


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愈演愈烈的2纳米竞争成胜负关键

全球晶圆代工竞争正逐步转向2纳米节点。不仅三星,台湾台积电(TSMC)和美国Intel,最近日本Rapidus也加入战局,客户争夺战有望愈发白热化。业界分析认为,面对从2纳米开始上调单价的台积电,三星将采取向客户提供相对更低报价的策略。如果高良率与高技术力这两个前提条件能够满足,外界认为三星完全具备取胜可能。包括Tesla在内的一些全球企业,正调整姿态以牵制台积电的独家地位,这也被视为三星的一大利好。



据业界消息,三星2纳米工艺相较现有3纳米,性能提升约12%,电源效率改善约25%。有传闻称,其良率也已接近40%至50%。引入全环绕栅极(GAA)结构也被视为一大优势,该技术是在晶体管中,让电流流过的沟道四个面全部被栅极包围。与此前的鳍式场效应晶体管(FinFET)技术相比,它能更精细地控制电流,从而大幅提升能效,使晶体管在更小尺寸下也能稳定工作。三星曾在2022年率先在全球将这一技术应用于3纳米工艺。如果在2纳米上取得成功,不仅有望吸引大量客户,也能进一步提升自家存储技术实力,成为经营所有领域半导体业务的“综合企业”蓝图的关键跳板。因此,在晶圆代工业务顺势上扬的当下,三星极有可能把2纳米视为必须拿下的决胜点。


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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