Hanmi半导体斥资1000亿投入混合键合机开发

韩美半导体表示，将向混合键合技术投资1000亿韩元，计划在2027年末推出混合键合机设备。

据韩美半导体25日消息，韩美半导体正在向仁川西区朱安国家产业园区投资共计1000亿韩元，建设一座总建筑面积4415坪（1万4570.84㎡）、地上2层规模的混合键合机工厂，目标是在2026年下半年完工。通过本次投资，韩美半导体将完成总计2万7083坪（8万9530㎡）规模的生产线布局。

在混合键合机工厂内，公司计划生产包括用于高规格高带宽内存（HBM）的热压键合（TC）键合机、无助焊剂键合机、用于人工智能2.5D封装的大尺寸芯片TC键合机，以及面向HBM和逻辑半导体XPU的混合键合机等下一代设备。TC键合机是将芯片与基板精密接合的半导体封装核心设备，尤其是生产HBM等高性能存储器时必不可少。HBM是决定人工智能（AI）半导体运算性能的关键部件，需求正在快速增长。业内预计，三星电子将把混合键合机应用于第6代HBM（HBM4），SK海力士则会在第7代产品（HBM4E）中采用该技术。

韩美半导体也在强化技术开发。韩美半导体于本月23日与半导体设备企业TES签署了混合键合技术合作协议。公司预计，将韩美半导体的HBM用键合机技术与TES的等离子体、薄膜沉积及清洗技术相结合，有望进一步提升竞争力。同时，公司还将强化混合键合机研发（R&D）专业人才队伍，加速技术开发进程。

韩美半导体混合键合机工厂鸟瞰图。韩美半导体提供

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韩美半导体还计划按照路线图供应目前市占率位居第一的HBM TC键合机设备。公司已于今年5月推出HBM4专用设备“TC BONDER 4”，并于本月开始量产，年内还计划推出无助焊剂键合机设备。

韩美半导体相关负责人表示：“要提升下一代高层堆叠HBM的性能，就必须采用混合键合技术。韩美半导体将通过抢先布局投资，适时向全球存储器厂商供应开发下一代HBM所需的核心设备，持续巩固我们的市场领导地位。”

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韩美半导体成立于1980年，是一家半导体设备企业，目前拥有全球320多家客户。自2002年新设知识产权部门以来，仅在HBM相关设备领域就申请了约120项专利。

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