顺应高带宽内存技术变革 设备业版图震动
在韩美垄断格局下 LG、韩华入局…复合封装竞争有望全面打响
预计从 HBM6 起由热压封装转向复合封装方式

以高带宽内存(HBM)6为契机,业界提出半导体接合设备(本封机)市场有可能从以热压方式为中心,转向复合方式的可能性,设备行业竞争格局变化备受关注。随着LG电子和韩华进入原本由韩美半导体事实上垄断的国内本封机市场,预计将以HBM6为转折点,步入新的竞争体制。


据业界15日消息,LG电子本月初在“纳米韩国 2025”展会上公开了半导体封装设备,并表示已着手开发混合本封机。目前以生产技术研究院为中心推进研发,业界认为其目标是在2028年完成开发。此前,韩华Semitec也已于今年3月进入相关业务。


混合本封机在将半导体芯片与基板连接的本封工艺中,相比现有的热压(TC)方式精度更高,被视为适用于要求高层堆叠的下一代高带宽内存(HBM)的技术。由于其可在无需焊球(凸点)的情况下,直接连接铜布线与介电层,从而缩小面积并提高传输速度,因此在人工智能需求扩大带动HBM需求增加的背景下备受瞩目。

韩美半导体 HBM4用 TC键合机

韩美半导体 HBM4用 TC键合机

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对此,韩美半导体会长Gwak Dongsin表示:“在HBM4、HBM5生产中引入混合本封机是‘牛刀割鸡’。”他称:“混合本封机单价在100亿韩元以上,比TC本封机贵出两倍以上,而且国际半导体标准协商机构(JEDEC)在今年4月将封装厚度标准放宽至775微米,仅凭现有TC设备也足以应对。”


但他同时表示:“我们将以2027年末推出为目标,开发用于HBM6的混合本封机,抢先应对市场”,释放出从该世代起本封机竞争体制有望正式形成的信号。


根据市场调研机构Verified Market Research的数据,全球混合本封机市场预计将从2023年约7.25万亿韩元增长至2033年的约19.34万亿韩元。


目前为止,韩美半导体仍在HBM本封机市场保持垄断地位。实际情况是,韩美自2024年起在面向英伟达的HBM3E量产用TC本封机市场中,正记录约90%的市占率,并以在HBM4和HBM5市场中到2027年实现95%市占率为目标。


不过,随着LG电子和韩华正式启动开发,有分析认为,以中小企业为中心的单一供应体系出现裂痕在所难免。业内人士表示:“随着大型企业进入,客户的选择空间将扩大,技术与价格两方面都会形成竞争格局”,“三星电子和SK海力士等主要客户企业的议价能力中长期也可能提升。”


混合本封机的单价估计在数百亿韩元级别,短期内也存在生产单价上升的忧虑。尤其是SK海力士和美光正在供应的HBM4 12层产品仍可通过TC本封机实现量产,因此业界普遍认为短期内的工艺转换可能性有限。


然而,也不能排除在HBM4上相对落后的三星电子,为了确保良率和实现产品差异化而考虑提前导入的可能性。还有观点认为,如果设备厂商之间的竞争加剧、价格准入门槛降低,技术转换也可能加速。



韩美半导体今后的应对战略也较为明确。Gwak会长表示:“无助焊剂(Fluxless)本封机也将按路线图于年内推出,我们自有全部HBM量产用热压技术,包括非导电膜(NCF)和MR-MUF等。”他接着强调:“我们通过从设计、零部件加工、软件到组装、检测的全流程一体化垂直整合体系,在技术创新和成本竞争力方面领先于其他设备厂商。”


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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