打响的“HBM4大战”：SK守城、Micron发起挑战、三星准备反击

继SK海力士之后，美光开始向客户供应下一代高带宽存储器（HBM）“HBM4”，围绕技术实力和市场主导权的正式竞争已经打响。据悉，三星电子也在准备反击。

据业内12日消息，SK海力士正以每秒2TB（太字节）以上的数据处理速度和36GB容量的12层HBM4样品为基础，以今年下半年量产为目标提升产品完成度。美光也在本月公开了相同规格的样品，并表示与其HBM3E产品相比，性能提升60%，能效提升20%以上。业内认为，三星电子也在以类似水平的性能为目标进行产品开发。

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业内认为，此次HBM4竞争具有为预计明年推出的“HBM4E”预热的前哨战色彩。SK海力士和美光都按现有方式生产HBM4，而正在研究的新设计和工艺技术将从HBM4E开始应用。由此预计，从明年HBM4正式量产之后，技术竞争将立即转移到HBM4E上。

从HBM4E开始，设计和键合方式预计将发生重大变化。两家公司在HBM4中采用10纳米级（1纳米=10亿分之1米）1b设计架构的DRAM，以12层堆叠构成产品，而在HBM4E中计划应用更进一步的1c设计。键合方式也将转向此前正在导入的“混合键合”。MR-MUF一次性粘合多颗芯片，有利于散热并可缩短工艺时间，这是其优势，但有观点指出，该方式在HBM4E这一高集成度结构上存在局限。

混合键合是一种在芯片之间不使用凸点而直接连接的方式，通过提高连接密度来提升数据传输速度，被视为下一代HBM竞争的核心技术而备受关注。两家公司目前正加紧进行该技术应用于HBM4E的演示和开发。

在SK海力士继续保持市场领先、美光快速追赶的格局下，三星电子的动向成为另一变量。三星电子尚未公开HBM4样品，但业内认为，其已经制定了从HBM4开始同时采用1c设计和混合键合、以此扭转竞争格局的战略。目前，三星电子在HBM3E方面正因主要客户英伟达的质量验证（资格测试）进度而在一定程度上受到制约，但据传其仍在全力推进HBM4的开发。

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韩国半导体产业协会副会长Kim Junghoe表示：“继HBM4样品供应之后，美光又在美国爱达荷州建设大规模工厂，其近期动作十分激进”，“从各项指标来看，其影响力正在扩大，作为美国企业，在贸易层面也有望占据有利位置。”他接着表示：“为守住主导权，SK海力士和三星电子在技术成熟度和供应战略方面需要更加精细的应对。”

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