Kim Chunhwan 负责研发工艺的副社长，接受新闻室专访
上个月在研发综合大典上获“银塔产业勋章”
“TSV与MR-MUF是SK的核心竞争力”
“不要害怕失败，要勇于挑战和尝试”
SK海力士负责研究与开发（R&D）工艺的副社长 Kim Chunhwan 2日接受公司新闻室采访时强调，SK海力士之所以能在高带宽存储器（HBM）领域展现出卓越的技术竞争力，其背后是“要素技术的先行开发”。所谓要素技术，是实现半导体设计、制造、封装、测试等核心工艺所必需的基础技术。
Kim副社长自1992年进入公司以来，32年间一直专注于存储半导体研究的专家。他从开发HBM核心——硅通孔（TSV，Through Silicon Via）要素技术阶段起便深度参与，做出了巨大贡献，持续研究15年，被评价为为公司HBM工艺奠定基础的关键人物。TSV是一种在芯片上打出微小孔洞，通过电极将上下芯片连接并进行堆叠，从而实现大容量与高带宽的技术，是决定HBM性能的核心。
由于这些功劳，他于上月27日在三成洞COEX举行的“2024产业技术研究与开发（R&D）综合大展”上，被选定为产业技术振兴（技术开发部门）有功者，并获颁银塔产业勋章。Kim副社长自我评价称，“这是对以要素技术为源头，成功量产高盈利高性能产品这一功绩的认可”，并回顾说：“我们围绕TSV工艺技术的稳定化和基础设施构建集中开展研发工作，同时推进量产品质改善活动，最终成功实现HBM量产，而作为这一切成果开端的TSV，如今已与‘MR-MUF（Mass Reflow-Molded UnderFill，大规模回流-模塑底部填充）’一道，成为HBM的核心竞争力。”MR-MUF是将两项技术合称的用语：一是通过熔化堆叠芯片之间的凸点实现芯片互连的技术，二是在堆叠芯片之间填充保护材料以提升耐久性和散热效果的技术。
随后Kim副社长表示：“基于1b DRAM的HBM3E可以视为前端工艺技术与TSV诀窍的集大成之作，而超高速、低功耗的LPDDR5X和LPDDR5T则得益于高介电常数金属栅极（HKMG）技术才得以开发。”他还补充说：“此外，以R&D要素技术为基础开发的NAND及固态硬盘（SSD）产品，在成本、性能与品质方面证明了其具备世界最高水准的竞争力；晶圆键合技术也在确定超高层NAND开发方向方面发挥着重要作用。”
他还强调，在公司取得成功的过程中，研究与开发组织的作用同样至关重要。Kim副社长表示：“R&D组织以挑战精神为基础，正面突破极限，开发出具备成本竞争力的技术。在此基础上，‘One Team’文化进一步叠加，产生了协同效应。”他接着说：“从新要素技术的定义、技术开发启动，到稳定量产产品的全过程，只有组织拧成一股绳，才能实现目标。要想适时开发要素技术，就必须不惧失败，持续挑战并不断尝试。”
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