“连竞争对手TSMC也合作”……三星电子的决断，是否为英伟达打开大门
Jensen Huang：“尽快推进批准使用三星AI芯片”
业界关注其发言背景与后续结果
“也将与TSMC合作” 三星变化获积极评价
一旦开始供货 将与SK海力士正式一决高下
“16层以上HBM将成为制程技术之战”
英伟达首席执行官（CEO）Jensen Huang表示将加快批准使用三星电子的人工智能（AI）存储芯片，其发言正受到业界关注。有人评价称，这是他近期针对三星电子产品发表的言论中，最为主动且具体的一次。
据彭博通讯社等外媒报道，Huang CEO于本月23日（当地时间）在出席香港科技大学名誉博士学位授予仪式后，接受彭博电视采访时表示，“计划尽快推进对三星电子AI存储芯片供货的批准”。他还补充称，正在考虑同时采购目前处于验证阶段的三星电子第五代高带宽存储（HBM）3E 8层与12层两种产品。Huang CEO上述表态，是在他今年3月于美国圣何塞举行的年度开发者大会“GTC 2024”上谈及三星电子HBM时称“正在测试，期待很高”，并在展台展示的HBM3E 12层产品上亲笔签名之后，时隔约8个月再次就此作出表态。
他的此次发言之所以引人注目，是因为与近期外界对三星电子的评价形成鲜明对比。业内此前普遍对三星电子向英伟达供应HBM3E的可能性持悲观态度。据悉已持续一年多的质量认证测试进展迟缓，何时完成尚不得而知，甚至有传言称，双方围绕产品良率和发热问题存在意见分歧。就在最近，Huang CEO在公布今年第三季度（8—10月）业绩后的电话会议上提及内存供应商时，只点名了SK海力士和美光，却只字未提三星电子，态度颇为冷淡。
业内认为，Huang CEO此次在采访中点名提及三星电子，与三星内部开始出现的变化不无关系。尤其是，三星电子作出“如客户有需求，可与竞争对手台积电合作，利用其晶圆代工产能生产HBM，而不局限于自家工厂”的决断，被视为打破与英伟达之间谈判僵局的关键，相关分析在业内颇具说服力。
三星电子的晶圆代工业务原本计划从3纳米（1纳米=10亿分之一米）工艺开始导入环绕栅极（GAA）技术，但由于良率未达预期，在客户争夺战中落于下风。目前其与全球第一的台积电在市场份额上存在较大差距。以今年第二季度为准，台积电份额为62.3%，三星电子为11.5%。业界认为，三星电子如果利用台积电的晶圆代工产能，有望消除客户对良率等问题的顾虑，从而增强客户信心。
专家强调，如果三星电子开始向英伟达供应HBM3E，将意味着其与SK海力士的正面交锋正式拉开帷幕。由于两家公司都面向同一客户英伟达，双方同类型产品的性能与技术实力很可能被直接对比。英伟达计划从今年第四季度起大规模生产和销售“Blackwell”产品线，其时间安排被认为点燃了两家企业之间的竞争。业内分析认为，英伟达希望打破由SK海力士长期垄断的HBM供应格局，通过供应商多元化引入竞争，从而在价格谈判中占据有利位置。
业界还预测，三星电子与SK海力士之间的竞争将以HBM3E为起点，延续至第六代产品HBM4。SK海力士以明年上半年实现HBM4量产并向市场供应为目标。三星电子也不甘落后，自今年7月新设HBM开发团队以来，正全力推进HBM4的研发。
产业研究院研究委员Kyung Hee-gwon表示：“Huang CEO此次发言，多半是基于‘增加HBM供应商数量有利于英伟达’这一判断而作出的”，“（在三星电子开始供货之后）HBM竞争将演变为一场比拼工艺技术的较量。随着产品堆叠层数预计提高到16层以上，各家公司在动态随机存取存储器（DRAM）高层堆叠工艺中，谁能实现更精细的工艺与更高的良率，将成为胜负关键”。
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