带宽比传统DRAM模组提升一倍
AI时代数据处理需求激增成利好
三星电子与SK海力士蓄势开拓市场
最近在讨论存储芯片市场时，必定会提到的关键词就是高带宽存储器（HBM）。HBM在短短两三年前还并不是如此备受瞩目的产品。而从去年开始，受人工智能（AI）热潮影响，HBM在短时间内迅速受到关注。甚至到了因HBM业绩而决定存储厂商“喜与悲”的程度，不禁让人再次感叹技术变革之迅猛。
因此，业内人士表示，存储行业不得不全力寻找下一代存储产品，也就是在寻找“第二个HBM”。随着人工智能的扩张，存储器同样被要求快速进化，相应地，研发的重要性也大幅提升。在这一过程中，三星电子和SK海力士将多款产品列为下一代存储，其中之一便是“MRDIMM”。
MRDIMM是“Multi-Ranked Buffered Dual In-Line Memory Module”（多阶缓冲双列直插式内存模块）的缩写。将多颗DRAM安装在基板上的模块被称为DIMM，而MRDIMM是在现有DRAM模块基础上提高数据传输速度、可用于处理海量数据的服务器和数据中心的一种DIMM。
据介绍，MRDIMM通过同时驱动DRAM模块向中央处理器（CPU）发送的基本数据传输单元——两个“Rank”（阶），将内存带宽（数据往来通道的宽度）扩大了一倍。与此前仅驱动单个Rank的方式相比，一次能够处理的数据量大幅增加。要实现这一操作，需要在模块上搭载一种特殊缓冲器这一部件，它负责支持DRAM与CPU之间的信号传递。
三星电子和SK海力士目前均已完成MRDIMM的开发。三星电子在去年下半年与主要芯片组厂商共同验证了产品性能，最近不仅在性能、容量方面有所提升，还改善了能效，并向客户提供MRDIMM送样，进行测试。今年年初，三星还预告，今后将推出采用32千兆比特（Gb）双倍数据速率（DDR）5 DRAM的MRDIMM。
SK海力士则在2022年宣布，与美国英特尔、日本瑞萨电子合作，成功开发出MRDIMM样品。去年11月，在美国举行的“Supercomputing 2023”（超级计算大会2023）上，SK海力士展出了实现最高每秒8800兆比特（Mb）数据处理速度的MRDIMM，备受关注。产品开发团队表示，“通过与以往完全不同的新尝试，实现了飞跃性的性能提升”。
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