三星：“将在2至3年内重夺全球半导体第一”

“今后2年、最晚在3年内，一定要重新夺回世界半导体第一的位置。”

三星电子DS（半导体）部门社长Kyung Kyehyun在20日举行的第55届定期股东大会上表示：“在存储器方面，将通过利用12纳米级32Gb DDR5 DRAM开发128GB大容量模块，引领市场，并通过率先推进12层堆叠HBM（高带宽存储器），重夺HBM3和HBM3E市场的主导权。”

Kyung社长预计，今年全球半导体市场将大幅同比增长，规模将达到6300亿美元（约843万亿韩元）。他还展望称，DS部门的销售额也将恢复到2022年水平。

三星电子计划提高DRAM和NAND闪存中先进工艺的比重。Kyung社长表示：“我们将把D1c DRAM、第9代V-NAND、HBM4等新工艺打造成具备最高竞争力的技术，再次引领行业，并通过扩大先进工艺比重和最大化制造能力来确保成本竞争力。”

Kyung Kyehyun 三星电子 DS（半导体）部门社长。 联合新闻提供

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关于晶圆代工（半导体代工）业务，Kyung社长表示：“我们将通过业内首创的GAA（环绕栅极）3纳米（1纳米=10亿分之一米）工艺，启动移动应用处理器产品的稳定量产，并计划为明年GAA 2纳米先进工艺的量产做准备。”2纳米工艺是三星电子、台积电（TSMC）和英特尔（Intel）都宣布将于明年实现的前沿工艺。他还表示：“我们将提升汽车电子、射频（Radio Frequency）等特殊工艺的成熟度，并提高4纳米、5纳米、8纳米、14纳米工艺的成熟度，从而扩大客户组合。”

他表示将继续强化研究开发（R&D）。计划到2030年向器兴R&D园区投入20万亿韩元。Kyung社长表示：“我们计划在量和质两个方面将半导体研究所扩充到两倍规模”，并称“将持续增加研发人员和R&D晶圆投入，使尖端技术开发成果能够快速应用到量产产品中”。

Kyung社长表示：“2024年是三星开启半导体事业的第50年，将成为宣告正式复苏的‘再腾飞之年’，也是为DS‘未来半个世纪开幕的成长之年’”，并称“计划在2至3年内重新夺回全球半导体第一的位置”。

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DX（设备体验）部门负责人兼代表理事副会长Han Jonghee强调，今年DX部门将以人工智能为基础，推进“个性化的设备智能化”。Han副会长表示：“三星电子将正式在智能手机、折叠屏、配件、扩展现实（XR）等所有设备中应用人工智能，为客户提供由生成式人工智能和端侧人工智能带来的全新体验。”

Han副会长表示：“三星电子将高度化全公司的人工智能能力，积极推进下一代车载电子（汽车电气·电子设备）、机器人、数字健康等新业务的培育。”

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Han副会长还表示，将通过物联网（IoT）实现设备控制，通过设备内人工智能实现最多20%的能源节约，并通过“Knox Matrix”实现强有力的设备安全等目标。

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