三星电子精选生产高附加值产品：“HBM3E量产准备将全部完成”（综合）

三星电子将在上半年通过有选择性的生产调整，重点生产高带宽存储器（HBM）等高附加值产品，以应对市场需求。去年第四季度HBM销量同比增长3.5倍，预计下半年包括HBM3在内的先进产品将占整体HBM销量的90%。

三星电子平泽园区内部生产线景象 / 三星电子提供

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31日，三星电子在去年第四季度业绩发布后的电话会议上分享了上述计划和展望。随着以存储器为中心的半导体景气回暖，半导体事业（DS部门）业绩出现恢复势头，相关提问在电话会议上接连出现，上述答复即是在相关说明过程中给出的。

三星电子当天在电话会议上表示，将通过选择性减产策略提升存储器盈利能力。三星电子存储器事业部副社长 Kim Jaejun 称，以动态随机存取存储器（DRAM）为中心，库存正在快速下降，但不同产品之间库存水平存在差异，并表示：“我们将综合考虑未来需求和库存水平，在上半年继续实施有选择性的生产调整计划。”

他还表示：“DRAM库存将在一季度过后回到正常区间，至于闪存（NAND），根据需求和市场环境不同，时间点可能有所差异，但最晚也将在上半年恢复正常。今后我们将持续检查市场需求和库存水平，灵活制定经营战略。”

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三星电子去年第四季度的DRAM和NAND比特增长率（按比特计算的产量增幅）环比均达到30%中段，超过市场平均水平。同一时期，平均销售单价（ASP）方面，DRAM涨幅在两位数低段，NAND则录得高个位数涨幅。同时，通过扩大HBM、双倍数据速率（DDR）5、低功耗双倍数据速率（LPDDR）5X、通用闪存存储（UFS）4.0等先进工艺产品的销售，拉动了整体业绩。

其结果是，三星电子在去年第四季度时隔一年实现DRAM业务扭亏为盈。公司预计，今年第一季度包括DRAM和NAND在内的存储器业务也有望整体转为盈利。Kim 副社长表示：“我们将积极应对与生成式人工智能（AI）相关的HBM及服务器固态硬盘（SSD）需求，集中改善盈利能力”，“预计一季度存储器业务将实现扭亏为盈。”

对于近期需求大增的AI用存储器HBM的销量，三星电子解释称，“每个季度都在刷新纪录”。去年第四季度HBM销量环比增长逾40%，同比增长3.5倍。Kim 副社长表示：“随着HBM3等先进产品占比提高，上半年先进产品将占整体HBM销售数量的一半，下半年将达到90%。同时，（作为最新产品的）HBM3E商业化也在推进，将在上半年完成量产准备。”

下一代产品HBM4则以2025年完成送样、2026年实现量产为目标。对于近期在生成式AI带动下，各客户对定制化HBM需求增加的趋势，Kim 副社长表示：“我们不仅在开发标准产品，还在开发叠加逻辑芯片的定制HBM，正与主要客户协商详细规格”，“将在定制HBM市场上，依托与晶圆代工（半导体代工）、系统LSI以及先进封装之间的协同效应，引领行业。”

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今年包括三星电子在内的存储器企业将以HBM为中心扩大产量，因此其他产品的供应预计将受到限制。也有观点认为，先进工艺产品的供应将低于需求。Kim 副社长预计：“今年行业整体比特增幅将十分有限。”他还表示：“预计今年行业资本支出（CAPEX）将部分恢复，但很大比例将集中于HBM，HBM以外产品的比特增长可能受到限制。”

去年即便创下年度最大接单纪录，但业绩相对疲弱的晶圆代工事业部，今年则重点关注端侧AI（On-Device AI）相关机会。端侧AI是指在无需网络连接的情况下，由终端设备本身实现的AI功能。三星电子晶圆代工事业部副社长 Jung Gibong 表示：“将有大量端侧AI产品上市”，“随着AI性能提升，神经网络处理单元（NPU）模块面积增大、静态随机存取存储器（SRAM）容量增加，这将对未来晶圆代工需求做出巨大贡献。”

三星电子去年第四季度实现销售额67万7799亿韩元，营业利润2万8247亿韩元。销售额同比下降3.81%，营业利润同比下降34.4%。去年全年销售额为258万9355亿韩元，同比减少14.33%；营业利润为6万5670亿韩元，同比锐减84.86%。三星电子年度营业利润跌破10万亿韩元，是自全球金融危机时期的2008年（6万319亿韩元）以来时隔15年首次。

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分业务来看，DS部门去年第四季度实现销售额21万6900亿韩元，营业亏损2万1800亿韩元，全年累计亏损为14万8700亿韩元。负责家电和移动业务的DX部门，去年第四季度销售额为39万5500亿韩元，营业利润2万6200亿韩元。显示器（SDC）部门同期营业利润为2万100亿韩元。负责车载电气·电子设备的子公司哈曼（Harman）实现营业利润3400亿韩元。

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