英特尔将在美国新墨西哥建设先进3D封装半导体生产设施

英特尔在美国新墨西哥州推出了首座能够以三维（3D）封装方式实现产品量产的半导体制造设施。

英特尔在美国新墨西哥州推出的半导体生产设施“Fab 9”外观 英特尔提供

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英特尔25日表示，公司已在美国新墨西哥州里奥兰乔开设了最先进的半导体生产设施“晶圆厂(Fab) 9”。此前，公司曾宣布，将向美国新墨西哥生产设施投资35亿美元，用于引入包括三维封装技术“Foveros”在内的高级半导体封装制造设备。

Foveros是一项通过灵活组合不同芯片，以实现功耗、性能和成本最优化的封装技术，属于将计算芯片单元垂直堆叠构建处理器的先进三维封装方式。Fab 9是英特尔首座能够采用Foveros方式进行大规模量产的制造设施，也是英特尔首个可在同一地点完成从接单到最终产品化全流程的大型高级封装基地。

英特尔计划通过启用Fab 9，加速在高级封装技术领域的创新。随着为提升半导体性能而在单一封装中采用多个“芯粒”的时代到来，公司将提高包括Foveros在内的高级封装技术的应用度，以延续摩尔定律。

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英特尔全球首席运营官（COO）、高级副总裁Keyvan Esfarjani表示：“我们此次推出了美国唯一一座能够大规模生产全球最先进封装解决方案的制造设施”，并称：“我们将通过这一尖端技术，在具有弹性的整体供应链中为客户提供实质性优势。”

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