国民大学9日表示，化学系Do Youngrak教授研究团队开发出一种基于氮化镓（GaN）、可应用于下一代显示器的dot-LED新型显示技术，并将相关成果发表在材料科学领域世界权威期刊《Advanced Functional Materials》上。
目前已作为下一代高端电视推向市场的、采用几十微米级微型发光二极管（Micro LED）的显示器，其生产过程中使用的是激光剥离（Laser Lift Off，LLO）方法。但在这一工艺中，对应数百万至数千万个子像素的大规模转移过程中，不良率偏高，导致显示面板制造单价上升。此外，由于会将LED晶圆的效率不均匀性原封不动地转移过去，可从晶圆上获得的芯片数量受到限制，从而引发芯片单价上升的问题。
为解决上述问题，研究团队以GaN LED晶圆为基础，开发出超薄dot-LED无机发光材料的制备与分离技术以及电致发光器件实现的创新工艺，大规模制备出了直径和高度均为数百纳米、均一的dot-LED。Dot-LED通过纳米压印及自上而下的干法刻蚀工艺制备，再经过电化学刻蚀和声化学分离，可将材料大规模分离为直径从数百纳米到数微米不等的颗粒，这一工艺本身就是一项具有创新性的技术。
同时，通过大规模分离dot-LED材料的工艺，不仅提高了生产效率，还在量产时降低了不良率，从而能够高效获得高品质的dot-LED材料。引入这一新技术，有望降低材料单价，并进一步提升显示产业的经济性。
主导本项研究的Do Youngrak教授表示：“目前正处于必须抢先布局能够超越有机发光二极管（OLED）显示器的新型无机发光技术，从而掌握显示产业下一代‘游戏规则改变者’技术的关键时期。我们此次率先在全球实现dot-LED材料及电致发光器件的实现，成功开发出有望成为下一代显示器平台技术的新型无机发光显示的源头技术，我认为这具有重要意义。”
另一方面，研究团队发表的超薄dot-LED分离技术，作为一项可在显示领域实现多种应用的平台技术，由国民大学化学系Gom Inji博士担任第一作者。本研究成果在《Advanced Functional Materials》（期刊引文报告JCR分区前4.2%，影响因子19.0）中获得认可，被选为1月2日刊登的背面封面论文并予以发表。
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