“缩小与TSMC差距”预期升温 三星美国泰勒工厂

三星电子正在扩充美国泰勒工厂内的人力，全力推动当地晶圆代工（半导体委托生产）业务扩张。近期将4纳米（nm，1nm为10亿分之1米）工艺的良率（成品中合格品比例）提升至70%区间，缩小了与台湾台积电（TSMC）的差距，业务竞争力正在增强。

三星电子近期正在补充与美国得克萨斯州泰勒在建晶圆代工工厂相关的人力。不仅招聘负责施工现场管理及设施土木相关的团队长级别有经验人才，还在当地招募用于半导体生产的超纯水和工业用水处理设计工程师、设施电气及消防设计工程师，以及负责设备监理的机械工程师。此外，还在招聘工厂内的维修保养负责人和光刻工艺轮班主管等多种岗位人员。

美国得克萨斯州泰勒市正在建设中的三星电子晶圆代工工厂施工现场景象 / 图片来源 截自Kyung Kyehyun 三星电子社长Instagram账号

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泰勒工厂是三星电子在美国建设的第二处晶圆代工基地。继得克萨斯州奥斯汀工厂之后，三星电子正以年内完工为目标建设泰勒工厂。泰勒工厂的用地规模为500万平方米，约为奥斯汀工厂的4倍。设备导入等量产准备结束后，计划从明年年底开始正式投产。这也是三星电子近期致力于扩充当地人力的背景所在。

泰勒工厂将以先进制程为中心运营。三星电子计划在此承接第五代移动通信（5G）、人工智能（AI）、高性能计算（HPC）等多个领域的半导体订单并进行生产。基于4nm工艺的人工智能半导体量产已在计划之中。美国人工智能半导体企业Grok和加拿大Tenstorrent已表示，将通过泰勒工厂推出本公司产品。

三星电子对泰勒工厂寄予厚望。美国不仅聚集了试图推出自研芯片的大型科技企业，还云集了各领域的无晶圆厂（半导体设计）企业，有利于获取客户。希望产品在本国生产的当地客户氛围也在进一步放大这种期待。三星电子DS部门负责人（社长）Kyung Kyehyun也曾表示：“美国主要客户期待他们的产品能在这里（泰勒工厂）生产。”

三星电子提高4nm工艺良率这一点也在增强市场期待。半导体业界推测，三星电子近期已将4nm良率提升至70%区间。三星电子顺势也在提升3nm工艺技术实力。继去年6月业界首次导入基于下一代晶体管技术——全环绕栅极（GAA）的3nm工艺之后，明年将正式推进3nm第二代工艺。

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另一方面，公司近期通过投资者活动“Investors Forum”预测，晶圆代工市场到2028年将以年均11%的速度增长，高于整体半导体市场4%的增长率。公司还表示，将重点布局高性能计算（HPC）和车用半导体（汽车电子）。今后为提升半导体性能和能效，将集中于包含GAA技术、下一代DRAM和先进封装（Advanced Packaging）在内的“GDP”业务战略。

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