[美国半导体补贴]①无法撤出中国…三星与海力士的两难

by Kim Pyeonghwa

Published 02 Mar.2023 07:50(KST)

Updated 02 Mar.2023 09:36(KST)

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“说忘就忘”的中国风险
虽提及撤出可能性业界却态度严肃
对华投资额或将直接变成损失

随着美国开始受理《芯片与科学法案》补贴申请，正在推进赴美投资的三星电子和SK海力士等韩国半导体企业的顾虑日益加深。因为美国方面施压称，如要获得补贴，就必须放弃在中国境内的尖端半导体生产。舆论甚至提出，是否应当彻底撤出中国业务，但业内解释认为，这在现实中几乎不可能。投入超过50万亿韩元的当地投资金额，随时可能变成损失。

美国商务部于2月28日（当地时间）公布了《芯片与科学法案》补贴申请程序。该法案规定，将向在美国建设半导体生产设施的企业提供527亿美元（约69.037万亿韩元）的补贴和税额抵免。美国商务部将从现在起分5个阶段选定补贴发放对象。从当天起受理希望获得补贴企业的意向书，随后进行正式申请受理、财务分析和尽职调查等。预计各企业可获补贴金额约为资本性支出（CAPEX）的5%至15%，最高不超过35%。

韩国半导体企业有望成为补贴发放对象。三星电子正向美国得克萨斯州泰勒市投资170亿美元（约22.27万亿韩元），建设晶圆代工（半导体委托生产）工厂。SK海力士计划投入150亿美元（约19.65万亿韩元），在美国建设尖端半导体封装工厂和研究开发（R&D）中心。不过，这些企业也有诸多顾虑。美国商务部决定，对获得超过1.5亿美元（约1965亿韩元）补贴的企业适用超额利润分享制度。如果企业的实际利润高于在申请书中提交的预期收益，美国政府最多可收回所发放补贴的75%。

尤其是即将公布的“防护栏条款”可能会掣肘韩国企业。《芯片与科学法案》设定了限制获得补贴企业对华投资的防护栏条款。该条款将禁止企业在10年内于中国新建或扩建工厂以及进行设备更换投资。虽然法案的细则尚未确定，但普遍认为将限制企业在中国境内生产尖端存储半导体。

中国是韩国半导体出口约40%（含香港则为60%）的目的地市场。即便放眼全球，中国也被视为最大消费市场之一，同时还是韩国企业的存储芯片生产基地。三星电子在中国西安设有NAND闪存工厂，在苏州设有封装工厂。SK海力士在无锡运营DRAM工厂，在重庆运营封装工厂；大连还有从英特尔收购的NAND闪存工厂。三星电子约40%的NAND、SK海力士约50%的DRAM均在中国生产。

在此背景下，要求韩国企业降低对华依赖度的声音持续不断，部分观点甚至认为应当撤出在华生产设施。但这并非易事。业内相关人士表示：“仅仅是建设一座半导体工厂、引进设备、铺设一条生产线，就需要以万亿韩元计的投资”，并解释称，“这绝不是像搬家那样可以轻易转移的问题”。

据国会产业通商中小风险企业委员会所属的共同民主党议员Kim Hoejae从产业通商资源部获得的资料显示，三星电子自1997年至2020年在中国的投资额累计达170.6亿美元（约22.3486万亿韩元）。SK海力士在同一时期对华投资249亿美元（约32.619万亿韩元）。一旦撤出中国市场，企业可能遭受相当于既往投资规模的损失。

当然，业界也认同有必要制定应对方案。自去年10月起，美国为阻止中国生产尖端半导体，持续限制各类设备出口。三星电子和SK海力士虽获得了一年期的临时豁免，但由于期限有限，不确定性依然很大。SK海力士副会长Park Jungho本月出席道宪学术院活动后在与记者见面时表示：“有必要努力缓解（设施）过度集中在亚洲的情况”。