中CXMT "4F²셀구조 기술 진전…새 DDR5 메모리 연내 공개"

차오칸위 CEO, 상하이 행사 참석
"수직형 트랜지스터로 집적도·전력 효율 ↑"
신기술 적용 서버용 D램 출시 계획 발표

중국 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로(CXMT)가 차세대 D램 핵심 기술로 꼽히는 '4F제곱(4F²)' 셀 구조 개발에서 기술 진전을 이뤘다며 이를 적용한 신제품을 연내 선보이겠다고 예고했다.

창신메모리테크놀로지(CXMT) 로고. 로이터연합뉴스

12일 홍콩 일간 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 차오칸위 CXMT 최고경영자(CEO)는 지난 주말 중국 상하이에서 열린 산업 행사에서 차세대 기술인 4F² 구조 개발에 핵심적인 진전이 있었다고 밝혔다. 이 기술을 적용한 서버용 DDR5 메모리 제품을 연말까지 출시한다는 방침도 밝혔다.

4F²는 D램의 개별 메모리 셀이 차지하는 면적을 나타내는 구조다. 현재 상용 D램에 주로 적용되는 6F² 구조보다 셀 면적을 약 33% 줄일 수 있어 동일한 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. 실제 집적도 개선 폭은 제품 설계와 제조 공정 등에 따라 달라진다.

핵심은 CXMT가 독자 개발한 수직형 서라운딩 게이트(VSG) 트랜지스터다. 기존 수평 구조의 트랜지스터 채널을 수직으로 전환해 누설 전류를 줄이고 집적도를 높이는 방식이다. CXMT는 이를 위해 기존 반도체 제조 공정의 핵심 단계도 재설계했다고 설명했다.

다만 CXMT는 구체적인 제품 사양이나 출시 날짜는 공개하지 않았다. 해당 기술을 적용한 서버용 D램의 실제 성능과 양산 수준도 아직 확인되지 않았다.

국내 메모리 업계도 비슷한 기술 개발에 속도를 내고 있다. SK하이닉스 는 지난해 6월 일본 교토에서 열린 국제반도체학회 'VLSI 심포지엄 2025'에서 4F² 구조를 적용한 차세대 D램 기술 로드맵을 공개했다. 기존 수평형 트랜지스터를 수직형으로 전환해 메모리 집적도를 높이는 기술로, 올해 6월에는 관련 D램의 전기적 특성에 관한 연구 성과도 발표했다.

CXMT는 지난 7월 '중국판 나스닥'으로 불리는 과창판(커촹반·상하이증권거래소 과학기술주 전용 시장)에 상장한 이후 기술력을 과시하기 위한 행보를 이어왔다고 SCMP는 전했다. 회사는 최근 5세대 D램 제조 플랫폼인 'G5' 양산에 돌입했다고 밝힌 바 있다. 또 2016년 설립 이후 4F² 기술 관련 특허군도 300건 이상 확보했다고 주장했다.

차민영 기자 blooming@asiae.co.kr

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