SK하이닉스가 점찍은 차세대 반도체 기술은…대학 연구진 5건 수상

지난해 출원 산학특허 26건 심사
고속 메모리 인터페이스 등 선정
대학 연구성과와 기업 현장 경험 결합

SK하이닉스가 대학과의 산학 협력을 통해 발굴한 반도체 기술 성과를 공유하고 우수 연구진을 격려했다.

SK하이닉스는 16일 경기도 이천캠퍼스 영빈관에서 '2026 산학연구과제 우수발명 시상식'을 개최했다고 밝혔다. 이날 행사에는 차선용 미래기술연구원장, 채희석 부사장(법무/특허 부문장), 김재범 부사장(R&D전략 담당), 김연수 부사장(특허 담당) 등 기술 및 특허 부문 주요 임원과 실무진이 참석했다.

'산학연구과제 우수발명 시상식'은 대학과 기업이 공동으로 수행한 연구 가운데 기술적 성과가 뚜렷하고 특허로서 가치가 높은 발명을 선정해 시상하는 행사다. 2013년부터 매년 개최되고 있다. 올해는 지난해 출원된 산학특허 26건을 대상으로 심사를 진행해 최우수상 1건, 우수상 1건, 장려상 3건 등 총 5건을 선정했다.

최우수상은 최우석 서울대학교 교수가 발명한 차세대 다중 레벨 신호 전송용 회로 설계 관련 특허가 받았다. 연산 칩과 메모리 사이에서 데이터를 빠르고 적은 에너지로 주고받을 수 있는 통신 회로 기술로, 고속 메모리 인터페이스에서 발생하는 전원 잡음 문제를 해결한 성과를 인정받았다.

최 교수는 "기존의 PAM3 방식은 고속 전송 환경에서 다양한 잡음과 동작 조건의 변화가 신호 전달의 안정성에 영향을 줄 수 있다"며 "이번 연구에서는 이러한 영향을 줄이고 데이터를 안정적으로 주고받을 수 있도록 통신 회로의 설계를 개선하는 데 집중했다"고 설명했다.

SK하이닉스는 지난 16일 이천캠퍼스 영빈관에서 ‘2026 산학연구과제 우수발명 시상식’을 개최했다. 이날 시상식에는 차선용 미래기술연구원장, 채희석 부사장(법무/특허 부문장), 김재범 부사장(R&D전략 담당), 김연수 부사장(특허 담당) 등 기술 및 특허 부문 핵심 임원진과 실무진이 참여해 수상자들을 축하했다. SK하이닉스.

이어 "이번 성과에서 가장 중요한 부분은 고속 데이터 전송 환경에서 안정성을 높일 수 있는 회로 설계의 가능성을 확인한 것"이라며 "향후 응용 환경별 요구 조건을 검토하면서 관련 기술을 발전시켜 나갈 계획"이라고 덧붙였다.

김형준 연세대학교 교수는 차세대 메모리용 전극 물질 및 소자 특성 관련 특허로 우수상을 받았다. 차세대 고집적 메모리에 사용되는 전극의 특성을 단일 공정 변수만으로 제어하는 기술이다. 공정 조건에 따른 전극의 물성과 소자 특성에 대한 정량적 데이터를 제시해 실제 제품 개발에 적용할 수 있는 완성도를 갖춘 점을 높이 평가받았다.

김 교수는 "정밀한 박막 증착 공정을 활용해 전극을 형성하고, 공정 조건을 조절하는 것만으로 소재와 소자의 특성을 필요한 수준에 맞게 변화시킬 수 있는 가능성을 확인했다"며 "새로운 소재나 복잡한 추가 공정을 계속 도입하기보다 기존의 소재와 공정 체계를 활용하면서도 다양한 소자 요구 조건에 대응할 수 있는 방법을 제시한 것이 이번 연구의 핵심"이라고 설명했다.

장려상은 황철성 서울대학교 교수의 '수직형 SOM 셀 물질 증착을 위한 고온 ALD/CVD 공정 특허', 최병준 서울과학기술대학교 교수의 '차세대 메모리용 고온 ALD/CVD 전구체 및 공정 특허', 한양대학교 한재덕 교수의 'UFS 5.0 및 차세대 M-PHY 고속 인터페이스 회로 특허'가 각각 수상했다.

차선용 미래기술연구원장은 "산학 협력을 통해 발굴된 우수 특허가 국내 반도체 산업의 기술 경쟁력을 높이는 데 기여할 것으로 기대한다"며 "앞으로도 도전적이고 혁신적인 연구가 활발히 이뤄질 수 있도록 적극적인 지원을 이어가겠다"고 말했다.

박준이 기자 giver@asiae.co.kr