"8인치 SiC 파운드리 시장 선점"…DB하이텍, 양산 체제 속도

공정 설계 키트(PDK)로 개발기간 1년 단축
내년 2분기 글로벌 고객 파운드리 서비스 확대

DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반 '1200V 실리콘카바이드 모스펫'(SiC MOSFET) 공정의 신뢰성 검증을 마치고 내년 양산을 목표로 차세대 전력반도체 파운드리 사업에 본격 착수한다고 9일 밝혔다.

실리콘카바이드(SiC)는 기존 실리콘(Si) 대비 고온 및 고전압 환경에서 우수한 특성을 나타내 전기차, 신재생에너지, 산업용 전력기기 등에 폭넓게 활용되는 차세대 전력반도체 소재다. 1200V 실리콘카바이드 모스펫은 해당 소재를 활용해 최대 1200V의 고전압을 버티고 제어할 수 있도록 만든 전력 반도체 스위칭 소자다.

현재 관련 시장은 6인치 웨이퍼가 주류를 이루고 있으나, 생산 효율과 원가 경쟁력을 높이기 위해 글로벌 주요 기업을 중심으로 8인치 전환이 빠르게 진행 중이다. DB하이텍은 이러한 시장 변화에 선제 대응해 8인치 SiC 공정 기술 개발과 파운드리 서비스 체계 구축을 추진해 왔다.

DB하이텍은 설계부터 제조, 특성 평가, 신뢰성 검증을 일괄 지원하는 파운드리(반도체 위탁생산) 체계를 확보하고, 고객사의 초기 개발 부담을 줄이기 위해 자체 개발한 1세대와 2세대 1200V SiC 공정 설계 키트(PDK)를 제공하고 있다. 오는 11월에는 3세대 PDK도 추가로 선보일 예정이다. 고객사는 해당 PDK를 활용해 프로토타입 제작을 앞당기고 제품 개발 기간을 1년 이상 단축할 수 있다.

성능 측면에서 2세대 공정은 게이트 전압(Vgs(on)) 18V 조건에서 비저항(Rsp) 2.5mΩ·cm² 이하, 문턱전압(Vth) 3V 이상의 전기적 특성을 구현해 신뢰성 검증을 마쳤다. DB하이텍은 올해 3분기 협업 고객사 대상의 공정 준비를 마치고 내년 2분기부터 전 고객으로 파운드리 서비스를 확대할 방침이다.

DB하이텍 관계자는 "이번 1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료는 세계 최초로 8인치 SiC 파운드리 서비스를 위한 핵심 공정 기술과 양산 기반을 확보했다는 데 의미가 있다"며 "내년 8인치 SiC 양산을 차질 없이 준비해 시장을 선점하고, 차세대 전력반도체 파운드리 시장에서 경쟁력을 지속 확대해 나갈 것"이라고 말했다.

김진영 기자 camp@asiae.co.kr

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