"AI 병목 뚫는다"…삼성·SK, 세계 최대 반도체 전시회서 '메모리 기술大戰'(종합)

나란히 FMS 2026 기조연설
SK하이닉스 "HBF·계층형 메모리"
삼성 "IDM 통합 포트폴리오"

SK하이닉스 와 삼성전자 가 세계 최대 반도체 전시회에서 인공지능(AI) 인프라 시장 주도권을 놓고 맞붙는다.

SK하이닉스가 4일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 개막하는 세계 최대 메모리·스토리지 전시회 FMS(Future of Memory and Storage) 2026에서 샌디스크와 함께 차세대 스토리지 기술인 HBF의 첫 표준 규격을 공개했다. SK하이닉스

SK하이닉스는 4일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터에서 개막하는 세계 최대 메모리·스토리지 전시회 FMS(Future of Memory and Storage) 2026에서 미국 반도체 기업 샌디스크와 함께 고대역폭플래시(HBF) 첫 표준 규격을 공개한다. HBF는 빠른 속도가 강점인 고대역폭메모리(HBM)와 대용량 저장장치인 솔리드스테이트드라이브(SSD)의 장점을 합친 새로운 메모리다. 낸드플래시를 쌓아 만들어 저장 용량을 크게 늘리면서도 데이터는 빠르게 주고받을 수 있다. 처리할 데이터가 급증하는 AI 서비스 환경에 적합한 기술로 꼽힌다. 양사가 컨소시엄을 꾸린 지 약 6개월 만에 내놓은 규격이다.

이번 규격은 낸드를 8단과 16단으로 쌓아 최대 512기가바이트(GB) 용량을 낸다. 데이터 전송 속도는 초당 최대 3테라바이트(TB/s)다. 그래픽처리장치(GPU)나 중앙처리장치(CPU) 종류에 상관없이 연결할 수 있는 개방형 표준이어서 업계 전체가 함께 쓸 수 있는 기술로 자리 잡을 전망이다. 개방형 데이터센터 기술 협력체 OCP(Open Compute Project)를 통해 공개됐다. SK하이닉스는 이날 김천성 솔루션개발부문장(부사장) 등의 기조연설을 통해 여러 메모리를 하나로 연결하는 계층형 메모리 아키텍처 구상도 공개한다. 부스에서는 개발 중인 10세대(V10) 375단 낸드도 처음 선보인다. 이전 세대보다 전력 효율이 2.5배 높은 제품으로 내년 초 이를 활용한 기업용 SSD(eSSD) 양산에 들어갈 계획이다.

삼성전자 HBM4E 12단 제품. 삼성전자

삼성전자는 메모리를 중심에 둔 AI 인프라 전략을 들고 나온다. 연산 장치에만 의존하던 기존 방식으로는 AI가 다뤄야 할 데이터양을 감당하기 어렵다는 판단에서다. 이진엽 메모리사업부 플래시개발실장(부사장)과 김경륜 D램개발실 상무는 기조연설에서 메모리와 낸드플래시는 물론 컨트롤러 파운드리 첨단 패키징까지 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM) 역량을 앞세워 AI 데이터 병목을 풀겠다고 밝힌다.

부스에서는 데이터센터용 차세대 HBM4E와 용량을 넓힌 CXL 메모리 모듈(CMM-D)을 전면에 내세운다. 저장장치 분야에서는 기존보다 속도가 2배 빠른 PCIe 6세대(Gen6) SSD와 영화 5만편을 담을 수 있는 256테라바이트(TB) 쿼드레벨셀(QLC) SSD를 선보인다. 스마트폰과 노트북 등에 쓰이는 저전력더블데이터레이트(LPDDR)5X 기반 프로세싱인메모리(PIM)와 차세대 저전력 메모리 LPDDR6, 모바일용 UFS 5.0도 함께 전시했다. 삼성전자는 이번 전시를 통해 메모리부터 파운드리 패키징까지 아우르는 종합 기술력을 강조한다.

권현지 기자 hjk@asiae.co.kr