"AI 메모리 한계 또 넘었다"…SK하이닉스, HBM4E 12단 샘플 전격 공급

핀당 최대 16Gbps 속도 구현
전력 효율 20%·열 저항 17% 개선
어드밴스드 MR-MUF 공정으로 48GB 구현

SK하이닉스가 기존 제품의 한계를 뛰어넘은 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 샘플을 글로벌 빅테크(대형 정보기술 기업) 고객사들에 발 빠르게 인도하며 또 한 번 인공지능(AI) 반도체 시장 내 리더십을 과시했다. 과거 HBM3 때부터 축적해온 품질 신뢰성과 탄탄한 공급망 역량을 기반으로, 이번 HBM4E 경쟁에서도 빅테크 고객사들의 까다로운 인프라 요구 조건을 적기에 충족시킨다는 전략이다.

SK하이닉스는 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 'HBM4E' 12단 제품의 샘플을 주요 고객사들에 공급하기 시작했다고 18일 밝혔다. 그동안 축적해온 압도적인 HBM 선행 개발 역량과 고도화된 생산 노하우를 바탕으로 차세대 라인업을 선보이게 됐다는 것이 회사 측의 설명이다.

SK하이닉스 7세대 고대역폭메모리(HBM4E). SK하이닉스

이번에 베일을 벗은 HBM4E는 이전 세대인 HBM4(6세대)와 비교해 연산 성능과 전력 소모 효율을 모두 극적으로 끌어올린 것이 가장 큰 특징이다. 데이터 처리 속도의 경우 핀당 최대 16Gbps를 안정적으로 구현해 내며, 에너지 효율성은 전 세대 대비 20% 이상 크게 개선했다. 초대규모 AI 학습과 추론 과정에서 발생하는 천문학적인 데이터 처리 속도를 획기적으로 높일 수 있는 스펙이다.

여기에 최신 인터페이스 적용과 정밀한 설계 최적화 과정을 거쳐 초고속 데이터 전송 시 발생하는 지연 현상을 최소화했다. 대규모 트래픽이 몰리는 고대역폭 환경에서도 오작동 없이 안정적인 구동을 지원해 차세대 AI 데이터센터와 초대형 컴퓨팅 시스템의 전반적인 처리 효율성을 한 차원 업그레이드할 것으로 기대를 모으고 있다.

아울러 회사는 앞선 세대를 통해 경쟁력이 입증된 '어드밴스드 MR-MUF' 공정을 적용했다. 이를 통해 12단 적층 기준으로 48GB(기가바이트)의 압도적인 대용량을 구현해 내는 동시에 칩 내부의 물리적 구조 안정성을 극대화했다. 무엇보다 열 방출 효율을 가늠하는 열 저항 수치를 기존 HBM4 대비 약 17% 떨어뜨리는 데 성공했다. 전력 소모가 극심한 고성능 컴퓨팅 전장 환경에서도 메모리가 과열로 멈추지 않고 차갑고 안정적으로 동작할 수 있도록 치명적인 병목 요인을 제거한 셈이다.

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 최태원 SK 회장이 7일 서울 강남구 깐부치킨 삼성점에서 치맥 회동을 하던 술잔을 들어올리고 있다. 연합뉴스

업계에서는 이번 SK하이닉스의 HBM4E 샘플 공급이 단순한 신제품 출시 이상의 의미를 지닌다고 입을 모은다. 최근 대만에서 열린 '컴퓨텍스 2026' 무대에서 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 SK하이닉스의 기술력을 공개적으로 극찬하며 강력한 신뢰를 보낸 바 있다. 황 CEO의 지속적인 러브콜에 SK하이닉스가 HBM4E 샘플 출하로 화답하면서 엔비디아의 차세대 AI 가속기 공급망 선점에도 탄력이 붙을 전망이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "지난 전 세대 라인업을 거치며 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 대량 양산 역량이 이번 HBM4E 제품에서도 완벽히 이어지며 글로벌 AI 혁신을 지속해서 리드할 수 있는 단단한 기반을 마련했다"고 자신감을 피력했다. 안 사장은 이어 "앞으로도 글로벌 파트너들과의 긴밀한 기술 협업을 바탕으로 시장이 요구하는 미래 가치를 선제적으로 구현해 내며 단순한 부품 공급사를 넘어선 '풀 스택 AI 메모리 크리에이터'로서의 독보적인 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 강조했다.

김진영 기자 camp@asiae.co.kr