삼성전자, 세계 최초 HBM4E 12단 샘플 출하…메모리 초격차 굳히기(상보)

1c D램과 4㎚ 로직 다이 적용
최대 16Gbps 속도까지 구현
에너지 효율 16% 개선

삼성전자가 세계 최초로 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 12단 샘플을 출하하며 메모리 초격차 굳히기에 들어갔다.

삼성전자는 29일 세계 최초로 차세대 인공지능(AI) 가속기의 핵심이 될 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 전격 공급했다고 밝혔다.

삼성전자가 세계 최초로 출하한 HBM4E 12단 제품 모습. 삼성전자

지난 2월 업계 최고 속도를 구현한 HBM4(6세대) 양산 출하에 성공하며 이정표를 세운 삼성전자는 불과 수개월 만에 차세대 HBM4E 공급까지 개시하며 메모리 기술 리더십을 다시 한번 증명하게 됐다.

삼성전자의 HBM4E는 설계 및 공정 최적화를 통해 독보적인 스펙을 구현했다. 핀당 동작 속도는 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원하며, 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 대폭 향상된 수치다. 또 단일 스택 기준 초당 3.6TB의 대역폭을 제공함으로써 거대언어모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화했다.

용량 측면에서도 개선됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 빈틈없이 확대해 나갈 계획이다.

HBM4E에는 전작에서 검증된 최선단 공정 기반의 1c(10㎚급 6세대) D램과 자체 파운드리(반도체 위탁생산) 4㎚(1㎚=10억분의 1m) 로직 다이(Die)가 적용됐다. 초미세 공정의 안정성을 극대화하는 동시에 수율과 양산성을 확보했다는 평가가 나오는 이유다. 또 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 크게 개선했다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며 "앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 강조했다.

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다. 지난 2월 세계 최초로 양산 출하한 HBM4도 양산 공급을 확대 중이다. 지난해 12월 삼성전자 HBM4는 최종 인증 단계인 SiP(시스템 인 패키지) 테스트에서 11.7Gbps의 업계 최고 수준 속도를 입증하며 최고 등급 평가를 받은 바 있다.

김진영 기자 camp@asiae.co.kr