삼성전자, 지난해 R&D 37조원 투자…역대 최대 규모
HBM 기술 초격차 사활
삼성전자가 지난해 연구개발(R&D) 비용으로 37조원이 넘는 돈을 쏟아부은 것으로 나타났다. 반도체 슈퍼사이클이 실적에 훈풍으로 작용하는 가운데 올해 최대 격전지로 떠오른 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 시장에서 주도권을 차지하기 위한 포석으로 해석된다.
10일 삼성전자가 공시한 2025년 사업보고서에 따르면 지난해 삼성전자의 R&D 비용 총액은 37조7548억원으로 집계됐다. 이는 전년(35조215억원) 대비 7.8% 늘어난 것으로 연간 기준 사상 최대 규모다. 매출액 대비 R&D 비용은 11.3%로 전년(11.6%)과 비슷한 수준을 기록했다. R&D 투자를 바탕으로 국내 특허 1만639건, 미국 특허 1만347건 등 지적재산도 확보한 것으로 나타났다.
올해 본격적으로 불꽃이 튈 HBM4 경쟁을 앞두고 삼성전자가 관련 기술 개발에 상당한 투자를 집행한 것으로 풀이된다. HBM4에 경쟁사보다 한 단계 앞선 10나노급 6세대(1c) D램 공정을 적용한 삼성전자는 지난달 세계 최초로 HBM4 양산 출하를 시작하면서 업계의 이목을 끌었다. 해당 제품은 엔비디아의 차세대 인공지능(AI) 칩 '베라 루빈'에 탑재될 예정이다.
삼성전자는 "D램은 AI 시장 내 신규 그래픽처리장치(GPU) 및 맞춤형 반도체(ASIC) 시장을 타깃으로 성능 경쟁력을 갖춘 HBM4를 적기에 공급 확대해 고객 수요에 적극 대응할 계획"이라며 "고용량 DDR5, SOCAMM2, GDDR7 등 AI 연계 제품의 비중도 지속 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다.
삼성전자는 지난해 업계 최초로 24Gb GDDR7 D램과 최선이란 10나노급 6세대 서버용 D램 양산에 성공한 바 있다. 비메모리 분야에서도 파운드리(반도체 위탁생산)사업부가 올해 하반기 2나노미터(㎚) 공정 양산을 목표로 개발을 진행 중이다. 시스템LSI 부문은 지난해 모바일 애플리케이션프로세서(AP) '엑시노스 2600'의 성능 개선에 공을 들이며 전작(엑시노스 2500)보다 중앙처리장치(CPU) 연산 성능을 최대 39% 끌어올렸다.
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한편 삼성전자 주요 제품의 글로벌 시장 점유율은 지난해 전반적으로 상승한 것으로 조사됐다. 글로벌 시장 점유율은 TV가 29.1%로 전년(28.3%) 대비 늘었고, 스마트폰도 18.3%에서 19.2%로 증가했다. 다만 D램 점유율은 지난해 HBM3E(5세대) 실적 부진 여파로 41.5%에서 34%로 축소됐다.
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